BiTeI kristalinin elektronik bant yapısında, güçlü spin-yörünge
etkileşmesi Rashba tipi spin ayrışmasına yol açmaktadır. Bu nedenle, dar bant
aralıklı bir yarıiletken olan BiTeI potansiyel bir spintronik malzeme olarak ilgi
çekmektedir. Bu makalede, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmaların gerinim ile
nasıl değiştiği incelenmiştir. Bu amaçla, yoğunluk fonksiyonel teorisi
çerçevesinde kristal yapısı optimizasyonları ve bant yapısı hesaplamaları gerçekleştirilmiştir.
Bu hesaplamaların sonuçları, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmasının gerinim
ile kontrol edilebileceğini göstermektedir. Bu, BiTeI kristalinde gerinimin
spin-yörünge etkileşimini arttırdığı (kristal sıkıştırıldığında) ya da azalttığı
(kristal genleştiğinde) bulgusu ile açıklanmıştır.
Spintronik yarıiletkenler BiTeI Rashba tipi spin yarılması Spin-yörünge etkileşimi İlk-prensip hesaplamalar
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 12 Mart 2019 |
Gönderilme Tarihi | 10 Eylül 2018 |
Kabul Tarihi | 19 Kasım 2018 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2019 Cilt: 8 Sayı: 1 |