Year 2019, Volume 7, Issue 2, Pages 245 - 254 2019-05-25

Fabrication and Characterization of Amorphous Semiconductor InTe Thin Film
Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu

Handan Aydin [1] , Fahrettin Yakuphanoglu [2] , Cihat Aydın [3]

48 115

In this study, X-ray diffraction, electrical conductivity, optical and dielectrical properties of the InTe amorphous semiconductor material have been investigated. X-ray diffraction results show that InTe sample has an amorphous structure. Temperature dependence of electrical conductivity of the sample has been investigated and the obtained results confirm that InTe is an amorphous semiconductor. The InTe sample shows photoconductivity behavior. The optical band gap and optical constants of the sample were calculated using transmittance and reflectance spectra. In the sample, the direct optical transitions take place The refractive index dispersion curve of the sample obeys the single oscillator model. The dielectrical properties of the sample have been investigated as a function of frequency and temperature. It was found that the dielectrical parameters were changed with temperature and frequency. The electrical modulus curves were used to analyze the dielectrical relaxation processes.

Bu çalışmada, InTe amorf yarıiletken malzemenin, X ışını difraksiyonu, elektriksel iletkenliği, optik ve dielektrik özellikleri araştırıldı. X-ışını difraksiyon sonuçları InTe numunesinin amorf yapıya sahip olduğunu gösterir. Numunenin elektriksel iletkenliğinin sıcaklığa bağlılığı araştırıldı ve bulunan sonuçlar numunenin bir amorf yarıiletken olduğunu doğrular. InTe numunesi fotoiletkenlik özellik gösterir. Numunenin optik band aralığı ve optik sabitleri geçirgenlik ve yansıma spektrumları kullanılarak hesaplandı. Numunede doğrudan optik geçişler meydana geldi. Numunenin kırılma indisi dispersiyon eğrisi tek osilatör modeline uydu. Numunenin dielektrik özellikleri frekansın ve sıcaklığın bir fonsiyonu olarak araştırıldı. Dielektrik parametrelerin sıcaklık ve frekansla değiştiği bulundu. Elektrik modulus eğrileri dielektrik relaksasyon olayını analiz etmek için kullanıldı.

  • [1] GÜNDEM, E.Ü., Electrıcal and Optical Propertıes of Amorphous Semiconductıng aSi:/A-SiNx : H Multilayer Fılms, Yüksek Lisans Tezi, Hacettepe Üniversitesi.
  • [2] MACHENZİE, J.D., 1970, J. Non-Cryst. Solids 2, 16.
  • [3] HOWARD AND ROCKSTAD, K., 1970, J. Non-Cryst. Solids 2, 192.
  • [4] MASUDA, A., YONEZAWA, Y., MORIMOTO, A., KUMEDA, M., AND SHIMIZU, T., 1997, J. NonCryst. Solids 217, 21.
  • [5] STUKE, J., 1953, Z. Phys. 134, 194p.
  • [6] POLLAK M., AND GEBALLE, T.H., 1961, Phys. Rev. 122, 1742.
  • [7] AUSTIN, I.G., AND MOTT, N.F., 1969, Adv. Phys. 18,41.
  • [8] PİKE, G.E., 1972, Phys. Rev. B6, 1572.
  • [9] ELLİOTT, S.R., 1977, Philos. Mag. B 36, 291.
  • [10] LONG, A.R ., 1982, Adv. Phys. 31, 553.
  • [11] MİTSUYU. T ., WASA, K., 1981, JPn. J. Appl. Phys. 20 L 48.
  • [12] EASWARAN, N., BALASUBRAMANİAN, C., NARAYANDASS, S.A.K., MANGALARAJ, D., 1992, Phys. Stat. Sol. 129, 443.
  • [13] SHANG, G., KUNZE, K., HANDEN, M.J., 1996, Smith. Chem. Vapor. Electron Depos. 2, 242.
  • [14] JULİEN, C., CHEVY, A., SİAPKAS, D., 1990, Phys stat Sol A 118: 553.
  • [15] YUDASAKA, M., MATASYOKA, T., NAKANİSHİ, K., 1987, Thin Solid Films 146, 65.
  • [16] ZASLAVSKİİ, A.I ., SERGEEVA, V.M., 1961, Sov. Phys. Solid state 2, 2556.
  • [17] BLERİS, G.L ., KARAKOSTAS, T., ECONOMOV, N.A., DE RİDDER, R., 1973, Phys. Stat. Sol. A 50, 579.
  • [18] AFİFİ, M.A., ABD. EL-WAHABB, E., BEKHEET, A.E., ATYİA, H.E., 2000, Acta Phys. A 28, 403.
  • [19] JENKİNS, F.A., WHİTE, H.E., 1957, Fundementals of Optics, McGraw-Hill, New York.
  • [20] OKUTAN, M., BASARAN. E., BAKAN. H.I., YAKUPHANOGLU. F., 2005, AC conductivity and dielectric properties of Co-doped TiO2 . Physica B 364, 300–305.
  • [21] YAKUPHANOGLU, F., ARSLAN, M., YILDIZ, S.Z., 2005, Determination and analysis of the dispersive optical constants of the 2,9,16,23- tetraneopentoxyphthalocyaninatozinc (II) charge transfer complex with 2,3-dichloro-5,6-dicyano- p - benzoquinone thin film.
  • [22] MOTT, N. F., DAVİS, E.A., 1979, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials: Clarendon Pres- Oxford, 595p
  • [23] OUMOUS, H. VE HADİRİ, H., 2001, Optical and Electrical Properties of Annealed CdS Thin Films Obtained From a Chemical Solution, This Solid Films, 386, 87-90.
  • [24] PANKOVE, J.I., 1971, Optical Processes in Semiconductours, Prentice-Hall, Inc. Englewood cliffs, New Jersey.
  • [25] CODY, G.D., 1984, A Comparison of the Optical Absorption edge of Crystalline and Amorphous Silicon, Semiconductors and Semimetals (Academic Press, Orlando ), Vol.21B, p.11.
  • [26] YAKUPHANOGLU, F., CUKUROVALİ, A., YİLMAZ, İ., 2005, Refractive index and optical absorption properties of the complexes of a cyclobutane containing thiazolyl hydrazone ligand. Optical Materials 27, 1363–1368
  • [27] MİNKOV, D.A., 1989, Calculation of the Optical Constants of Thin Layer Upon a Transparent Substrate from the Reflection Spectrum, J. Phys. D: Appl. Phys., 22, 1157- 1161.
  • [28] YAKUPHANOGLU, F., AYDOĞDU, Y., SCHATZSCHNEİDER, U., RENTSCHLER, E., 2003, Solid State Communications. 128, 63-67.
  • [29] AYDİN H., TATAROGLU A., AL-GHAMDİ AHMED A., YAKUPHANOGLU F., EL-TANTAWY FARİD, FAROOQ W.A., (2015). A novel type heterojunction photodiodes formed junctions of Au/LiZnSnO and LiZnSnO/p-Si in series, Journal of Alloys and Compounds, 625, 18–25
  • [30] SOYLU M., AYDİN H., AL-GHAMDİ AHMED A., FAROOQ W. A., YAKUPHANOGLU F., (2014). Study of optical and electrical assessments of the quaternary MgZnSnO system containing different Mg content, J Mater Sci: Mater Electron, 25, 4235–4245.
  • [31] C. AYDIN, N.M. KHUSAYFAN, A.A. AL-GHAMDI, F. EL-TANTAWY, W.A. FAROOQ, F. YAKUPHANOGLU, Facile synthesis, electrical and optical properties of Cu-doped GaN nanorods by sol-gel technique, Journal of Sol-Gel Science and Technology, 78 (2016) 68-75.
  • [32] AYDİN, H., MANSOUR, SH.A., AYDİN, C., AL-GHAMDİ AHMED., OMAR, A., AL-HARTOMY, A., EL-TANTAWY, F., YAKUPHANOGLU F., (2012). Optical properties of nanostructure boron doped NiO thin films. J Sol-Gel Sci Technol. 64, 728-733.
Primary Language tr
Subjects Engineering
Published Date Mayıs 2019
Journal Section Articles
Authors

Author: Handan Aydin (Primary Author)
Institution: MUNZUR ÜNİVERSİTESİ
Country: Turkey


Author: Fahrettin Yakuphanoglu
Institution: FIRAT ÜNİVERSİTESİ
Country: Turkey


Orcid: 0000-0001-9997-6326
Author: Cihat Aydın
Institution: MERSİN ÜNİVERSİTESİ
Country: Turkey


Dates

Publication Date: May 25, 2019

Bibtex @research article { apjes442306, journal = {Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi}, issn = {}, eissn = {2147-4575}, address = {Academic Platform}, year = {2019}, volume = {7}, pages = {245 - 254}, doi = {10.21541/apjes.442306}, title = {Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu}, key = {cite}, author = {Aydin, Handan and Yakuphanoglu, Fahrettin and Aydın, Cihat} }
APA Aydin, H , Yakuphanoglu, F , Aydın, C . (2019). Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu. Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi, 7 (2), 245-254. DOI: 10.21541/apjes.442306
MLA Aydin, H , Yakuphanoglu, F , Aydın, C . "Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu". Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi 7 (2019): 245-254 <http://dergipark.org.tr/apjes/issue/40960/442306>
Chicago Aydin, H , Yakuphanoglu, F , Aydın, C . "Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu". Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi 7 (2019): 245-254
RIS TY - JOUR T1 - Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu AU - Handan Aydin , Fahrettin Yakuphanoglu , Cihat Aydın Y1 - 2019 PY - 2019 N1 - doi: 10.21541/apjes.442306 DO - 10.21541/apjes.442306 T2 - Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi JF - Journal JO - JOR SP - 245 EP - 254 VL - 7 IS - 2 SN - -2147-4575 M3 - doi: 10.21541/apjes.442306 UR - https://doi.org/10.21541/apjes.442306 Y2 - 2019 ER -
EndNote %0 Academic Platform Journal of Engineering and Science Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu %A Handan Aydin , Fahrettin Yakuphanoglu , Cihat Aydın %T Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu %D 2019 %J Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi %P -2147-4575 %V 7 %N 2 %R doi: 10.21541/apjes.442306 %U 10.21541/apjes.442306
ISNAD Aydin, Handan , Yakuphanoglu, Fahrettin , Aydın, Cihat . "Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu". Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi 7 / 2 (May 2019): 245-254. https://doi.org/10.21541/apjes.442306
AMA Aydin H , Yakuphanoglu F , Aydın C . Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu. APJES. 2019; 7(2): 245-254.
Vancouver Aydin H , Yakuphanoglu F , Aydın C . Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu. Akademik Platform Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi. 2019; 7(2): 254-245.