Investigation of Structural, Optical and Photovoltaic Properties of Sb2S3 Thin Films

Yıl 2017, Cilt: 38 Sayı: 3, 588 - 593, 30.09.2017

Sabit Horoz Hüsnü Koç Ömer Şahin

https://doi.org/10.17776/csj.340520

Cited By: 5

Öz

Sb₂S₃ thin films were
prepared on amorphous glass substrates by chemical bath deposition (CBD) at
room temperature.  The Sb₂S₃
thin films were characterized by x-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy,
scanning electron microscopy (SEM) and UV-Vis spectroscopy.  The XRD revealed that the as deposited Sb₂S₃
thin film has a different structure compared to annealed Sb₂S₃
thin film. As deposited Sb₂S₃ thin film showed amorphous
structures while the Sb₂S₃ thin film became
polycrystalline after annealing at 350 ⁰C for 1h under N₂.  The band gaps of the Sb₂S₃ thin
films were compared using UV-Vis spectroscopy. 
The spectral response of the Sb₂S₃ thin film
enhanced after the annealing process. The Sb₂S₃ thin
films were subsequently used to make semiconductor-sensitized TiO₂ nanowire
(NW) solar cells.  The performances of
the solar cells, with the short circuit current density and open circuit
voltage, were investigated. Based on the optical and photovoltaic measurements,
we consider that annealed Sb₂S₃ thin films can be
promising materials for developing solar cell technologies. 

Anahtar Kelimeler

Sb2S3 thin films, chemical bath deposition, semiconductor –sensitized solar cells

Sb2S3 İnce Filmlerin Yapısal, Optik ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi

Öz

Sb₂S₃ ince filmleri, amorf cam yüzeylerde oda
sıcaklığında kimyasal banyo depolaması (CBD) yöntemi ile hazırlandı.  Sb₂S₃ ince filmleri,
x-ışını kırınımı (XRD), Raman spektroskopisi, taramalı elektron mikroskobu
(SEM) ve UV-Vis spektroskopisi ile karakterize edildi.  XRD, depolanmış Sb₂S₃
ince filminin, tavlanmış Sb₂S₃ ince film ile
karşılaştırıldığında farklı bir yapıya sahip olduğunu ortaya koymuştur. Depolanmış
Sb₂S₃ ince filmi amorf yapılar gösterirken, Sb₂S₃
ince filmi 350^oC'de N₂ altında 1 saat tavlama işleminden
sonra poli kristal hale geldi.  UV-Vis
spektroskopisi kullanılarak Sb₂S₃ ince filmlerin bant
boşlukları karşılaştırıldı.  Tavlama
işleminden sonra Sb₂S₃ ince filminin spektral tepkisi
arttı.  Daha sonra Sb₂S₃
ince filmleri yarı iletken-hassaslaştırılmış TiO₂ nanotel (NW) güneş
pilleri yapmak için kullanıldı. Güneş pili hücrelerinin kısa devre akım
yoğunluğu ve açık devre voltajı ile performansları araştırılmıştır. Optik ve
fotovoltaik ölçümlere dayanarak, tavlanmış Sb₂S₃ ince
filmlerin güneş pilleri teknolojilerini geliştirme konusunda umut verici
malzemeler olabileceğini düşünüyoruz.

Anahtar Kelimeler

Sb2S3 ince filmler, kimyasal banyo depolanması, yarıiletken-tabanlı güneş pilleri

Kaynakça

• [1]. M T S Nair, J. Electrochem. Sec. 145, 2113(1998)
• [2]. S Mahanty, J. Vac. Sci. Tech. A Vac Surf Films15, 3060 (1997)
• [3]. M D Jeroh, Global Journal of Science Frontier Research A 12, 1 (2012)
• [4]. I Grozdanov, Semicond. Sci. Technol. 9, 1234 (1994)
• [5]. M. Versal, Thin Solid Films 515, 7171 (2007)
• [6]. S V Forgue, RCA Rev.12 335 (1951)
• [7]. C Ghash, Thin Solid Films 60, 61 (1979)
• [8]. J Grigas, Phys. Status Solidi (a) 37 K39 (1976)
• [9]. E Montrimas, Thin Solid Films 34, 65 (1976)
• [10]. J George, Solid States Commun. 33, 987 (1980)
• [11]. P Arun, J. Materials Sci.31, 6507 (1996)
• [12]. P E Lippens, Physical Review B, 56 13054 (1997)
• [13]. A Kyono, Phys Chem Minerals 29, 254 (2002)
• [14]. F I Ezeme, Turk j. Phys 31, 205 (2007)
• [15]. B Krishnan, Applied Surface Science 254, 3200 ( 2008)
• [16]. Y Li, Nanoscale Research Letters 8, 89 (2013)
• [17]. C G Lazos, Journal of the Electrochemical Society 155,158(2008)
• [18]. Q Dai, Nano Letters 12, 1021 (2012)
• [19]. J Pan, Eur. J. Inorg. Chem. 5302 (2009)
• [20]. I Watanabe, Journal of Non-Crystalline Solids 58, 35 (1983)
• [21]. B Minceva-Sukarova, Journal of Molecular Structure 410-411, 267 (1997)