TY  - JOUR
T1  - Kapasitans‐Voltaj (C‐V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n‐Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması
TT  - The Determination of Series Resistance Parameter of Sb‐Doped TiO2 / n‐   Si MIS Structure by Capacitance‐Voltage (C‐V) Method
AU  - Sönmezoğlu, Savaş
AU  - Akın, Seçkin
PY  - 2011
DA  - April
JF  - Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
PB  - Afyon Kocatepe University
WT  - DergiPark
SN  - 2149-3367
SP  - 1
EP  - 8
VL  - 11
IS  - 1
LA  - tr
AB  - Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n‐Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I‐V ve C‐V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış ve analiz edilmiştir. I‐V karakteristiklerinden elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri sırasıyla, 2.79, 0.68 eV ve 4118 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V karakteristiğinden engel yüksekliği ve seri direnç değerleri ise sırasıyla 1.94 eV ve 10.45 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri ile I‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri arasındaki farkın sebepleri arayüzey durumları, seri direnç etkisi ve yalıtkan tabakanın varlığı olabilir. Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu durumlarda C‐V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I‐V yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.
KW  - C‐V karakteristiği
KW  -  I‐V karakteristiği
KW  -  Seri direnç
KW  -  Engel yüksekliği
KW  - Arayüzey durumları
UR  - https://dergipark.org.tr/en/pub/akufemubid/article/19739
L1  - https://dergipark.org.tr/en/download/article-file/18328
ER  -