TY  - JOUR
TT  - On The Profile Of Frequency Dependent Series Resistance And Interface States In Al/TiO2/p-Si (MIS) Structures
AU  - Arsel, İsmail
PY  - 2012
DA  - September
JF  - Batman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisi
JO  - Batman univ. yaşam bilim. derg.
PB  - Batman University
WT  - DergiPark
SN  - 2147-4877
SP  - 29
EP  - 38
VL  - 2
IS  - 1
KW  - Sol-gel method
KW  - Al/TiO2/p-Si (MIS) structures
KW  - Interface state density
KW  - Series resistance
KW  - Frequency dependence
N2  - Sol-gel yöntemiyle hazırlanan Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıların iletkenlik-voltaj(G/ω-V)  ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristiklerinin frekansa bağımlılığı oda sıcaklığında seri dirençler (Rs) ve arayüzey (Nss)  durumlarına etkisi gözönüne alınarak incelenmiştir. Ölçülen kapasidans (C) ve iletkenkiğin (G/ω), frekansa ve öngerilime kuvvetle bağlı olduğu bulunmuştur. Ölçülen sığa (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerinin, dolma ve boşalma bölgelerinde frekansın artması ile azaldığı,  Si/TiO2 arayüzeyinde Nss ölçülmüştür. Seri direnç-gerilim ( Rs-V), grafiğinde bir tepe noktası vardır ve tepe noktasının yeri, azalan frekansla birlikte ters bölgeye doğru kayar. Gerçek (MIS) kapasidans (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerini elde etmek amacıyla kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V)  ölçümlerinin her ikisi ileri ve geri önyargılar altında seri dirençlerin etkisi için düzeltilmiştir. Frekansa bağlı kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V) ölçümleri son derece etkili elektriksel karakteristiklerin çok önemli iki parametresi MMS yapısında Rs ve Nss olduğunu gösterir.
UR  - https://dergipark.org.tr/en/pub/buyasambid/issue//320794
L1  - https://dergipark.org.tr/en/download/article-file/313455
ER  -