The Determination of Series Resistance Parameter of Sb‐Doped TiO2 / n‐ Si MIS Structure by Capacitance‐Voltage (C‐V) Method

Year 2011, Volume: 11 Issue: 1, 1 - 8, 01.04.2011

Savaş Sönmezoğlu Seçkin Akın

Abstract

Keywords

-

Kapasitans‐Voltaj (C‐V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n‐Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması

Abstract

Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n‐Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel
parametreleri I‐V ve C‐V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış  ve analiz edilmiştir. I‐V
karakteristiklerinden elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri sırasıyla, 2.79,
0.68 eV ve 4118 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V karakteristiğinden engel yüksekliği ve seri direnç değerleri
ise sırasıyla 1.94 eV ve 10.45 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği
değeri ile I‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri arasındaki farkın sebepleri arayüzey
durumları, seri direnç etkisi ve yalıtkan tabakanın varlığı olabilir. Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu
durumlarda C‐V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I‐V
yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.

Keywords

C‐V karakteristiği,  I‐V karakteristiği,  Seri direnç,  Engel yüksekliği, Arayüzey durumları