BiTeI kristalinin elektronik bant yapısında, güçlü spin-yörünge
etkileşmesi Rashba tipi spin ayrışmasına yol açmaktadır. Bu nedenle, dar bant
aralıklı bir yarıiletken olan BiTeI potansiyel bir spintronik malzeme olarak ilgi
çekmektedir. Bu makalede, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmaların gerinim ile
nasıl değiştiği incelenmiştir. Bu amaçla, yoğunluk fonksiyonel teorisi
çerçevesinde kristal yapısı optimizasyonları ve bant yapısı hesaplamaları gerçekleştirilmiştir.
Bu hesaplamaların sonuçları, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmasının gerinim
ile kontrol edilebileceğini göstermektedir. Bu, BiTeI kristalinde gerinimin
spin-yörünge etkileşimini arttırdığı (kristal sıkıştırıldığında) ya da azalttığı
(kristal genleştiğinde) bulgusu ile açıklanmıştır.
Spintronik yarıiletkenler BiTeI Rashba tipi spin yarılması Spin-yörünge etkileşimi İlk-prensip hesaplamalar
Primary Language | Turkish |
---|---|
Journal Section | Araştırma Makalesi |
Authors | |
Publication Date | March 12, 2019 |
Submission Date | September 10, 2018 |
Acceptance Date | November 19, 2018 |
Published in Issue | Year 2019 Volume: 8 Issue: 1 |