Loading [a11y]/accessibility-menu.js
 
BibTex RIS Cite

-

Year 2015, Volume: 8 Issue: 1, 33 - 49, 07.04.2015

Osman Ceylan , Osman Ceylan , Hasan Yağcı Hasan Bülent Yağcı Selçuk Paker

https://doi.org/10.20854/befmbd.31566

Abstract

In this study a GaN HEMT X Band Class F Power Amplifier is presented. Center frequency of the amplifier is 8.2GHz and amplifier has 62% peak efficiency with 9.3dB power gain. Modelithics advanced GaN HEMT nonlinear transistor model is used at design process. Radial stubs are preferred to increase bandwidth. Amplifier has 170MHz bandwidth above 60% efficiency. Therefore, proposed amplifier is suitable for high data rate communication systems

Keywords

-

References

  • Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
  • Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
  • Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
  • Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
  • Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.

GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI

Year 2015, Volume: 8 Issue: 1, 33 - 49, 07.04.2015

Osman Ceylan , Osman Ceylan , Hasan Yağcı Hasan Bülent Yağcı Selçuk Paker

https://doi.org/10.20854/befmbd.31566

Abstract

Bu çalışmada X bandında çalışan, yüksek verimli F sınıfı güç kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yüksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanılarak tasarlanmıştır. Bu tasarımda kullanılan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru için Modelithics geliştirdiği doğrusal olmayan tranzistor modeli kullanılmıştır. Tasarlanan devrenin daha geniş frekans bandından çalışmasını sağlamak için kapasitif elemanlar radyal yapılı mikroşerit hatlar ile gerçeklenmiştir. Tasarım sonucunda 8.2 GHz merkez frekansında elde edilen en yüksek verim %62, güç kazancı ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre geniş bantlı iletişim sistemlerinde (170MHz) kullanılmaya uygun olarak bant içerisindeki verimi %60’ın üzerindedir. Çalışma sonunda GaN HEMT kullanarak yüksek çıkış gücüne sahip yüksek verimli kuvvetlendirici elde edilmiştir.

Keywords

GaN X Band Güç Kuvvetlendiricisi F Sınıfı Dairesel Yapılı Hat

References

  • Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
  • Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
  • Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
  • Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
  • Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.
There are 5 citations in total.

Details

Primary Language Turkish
Journal Section Articles
Authors

Osman Ceylan

Osman Ceylan

Hasan Yağcı This is me

Hasan Bülent Yağcı This is me

Selçuk Paker

Publication Date April 7, 2015
Published in Issue Year 2015 Volume: 8 Issue: 1

Cite

APA Ceylan, O., Ceylan, O., Yağcı, H., Yağcı, H. B., et al. (2015). GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, 8(1), 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566
AMA Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. June 2015;8(1):33-49. doi:10.20854/befmbd.31566
Chicago Ceylan, Osman, Osman Ceylan, Hasan Yağcı, Hasan Bülent Yağcı, and Selçuk Paker. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8, no. 1 (June 2015): 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
EndNote Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S (June 1, 2015) GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8 1 33–49.
IEEE O. Ceylan, O. Ceylan, H. Yağcı, H. B. Yağcı, and S. Paker, “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”, BUJSE, vol. 8, no. 1, pp. 33–49, 2015, doi: 10.20854/befmbd.31566.
ISNAD Ceylan, Osman et al. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8/1 (June 2015), 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
JAMA Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8:33–49.
MLA Ceylan, Osman et al. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, vol. 8, no. 1, 2015, pp. 33-49, doi:10.20854/befmbd.31566.
Vancouver Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8(1):33-49.
 Download Cover Image

Creative Commons Lisansı
Bu eser Creative Commons Atıf 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.