In this study, the electrical characterization of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer within an InGaN/GaN blue light-emitting LED structure grown on a sapphire substrate using the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method was examined. For high-quality growth of the GaN layer on a sapphire substrate, a two-stage GaN growth process is employed, consisting of a low-temperature GaN (LT-GaN) layer and a high-temperature GaN (HT-GaN) layer. This study specifically investigates the structural and electrical properties of the LT-GaN layer, which is the first stage of the GaN growth process. Structural characterization was performed using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), while electrical characterization involved Hall effect measurements and current-voltage (I-V) measurements. Based on the results from structural and electrical measurements, the optimal growth temperature for the LT-GaN layer was determined, and the effect of growth temperature on the electrical properties was demonstrated.
Bu çalışmada, Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemi kullanılarak safir alttaş üzerine büyütülen InGaN/GaN mavi ışık yayan LED yapısında düşük sıcaklık GaN (LT-GaN) tabakasının elektriksel karakterizasyonu incelenmiştir. Safir alttaş üzerine GaN tabakasının kaliteli büyütülebilmesi için düşük sıcaklık GaN (LT-GaN) tabakası ve yüksek sıcaklık GaN (HT-GaN) tabakası şeklinde iki aşamalı GaN büyütmesi yapılır. Bu çalışmada GaN tabakasının büyütme aşamalarından ilki olan düşük sıcaklıkta GaN (LT-GaN) tabakasının yapısal ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Yapısal karakterizasyon yüksek çözünürlüklü X ışını kırınımı (HRXRD) ile, elektriksel karakterizasyon ise Hall etkisi ölçümü ve akım gerilim ölçümleri ile yapılmıştır. Yapısal ve elektriksel ölçümlerden elde edilen sonuçların değerlendirilmesi ile düşük sıcaklık LT-GaN tabakası için ideal büyütme sıcaklığı belirlenmiş, büyütme sıcaklığının elektriksel özellikler üzerindeki etkisi gösterilmiştir.
Primary Language | English |
---|---|
Subjects | Material Physics |
Journal Section | Research Articles |
Authors | |
Early Pub Date | December 23, 2024 |
Publication Date | December 26, 2024 |
Submission Date | November 7, 2024 |
Acceptance Date | November 25, 2024 |
Published in Issue | Year 2024 Volume: 3 Issue: 2 |