Bu çalışmada, Zn katklı CuO
ince filmleri hazırlanarak Al-p-Si/Zn katkılı CuO/Al fotodiyotları
üretilmiştir. Üretilen fotodiyotların akım-voltaj (I–V) ölçümleri karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetleri altında
alınmıştır. Al-p-Si/Zn katkılı CuO/Al
fotodiyotları iyi bir doğrultma ve iyi bir fototepki özelliği göstermiştir. %0.1 Zn
katkılı diyotunun en yüksek doğrultma oranına (1.73x104) ve en
yüksek fototepki’ye (2.07x103) sahip olduğu saptanmıştır. Frekansa
bağlı kapasite-voltaj ölçümleri oda sıcaklığında 10kHz ile 1MHz aralığında
yapılmıştır. Diyotların kapasitansının, artan frekans ile azalması, arayüz yük
dağılımından kaynaklanmaktadır. Anlık fotoakım ölçümleri, diyotların
fotoiletkenlik davranış sergilediğini gösterir.
Zn katkılı CuO filmlerin optiksel özellikleri de UV-VIS spektroskopisi
ile incelenmiş ve optik enerji bant aralığı 1.89-2.15 eV aralığında
bulunmuştur. Filmlerin morfolojik yüzey özellikleri atomik güç mikroskobu (AFM)
ile araştırılmıştır. Filmlerin yüzey morfolojisi Zn katkısına bağlı olarak
değişmiştir. Elde edilen sonuçlar, Al/p-Si/Zn:CuO/Al diyotlarının güneş izleme
sistemlerinde fotosensör olarak kullanılabileceğini göstermiştir.
Primary Language | Turkish |
---|---|
Subjects | Engineering |
Journal Section | Physics |
Authors | |
Publication Date | October 13, 2018 |
Published in Issue | Year 2018 Volume: 13 Issue: 4 |