Yapılançalışmada SILAR yöntemi ile oda sıcaklığında katkısız ve farklı oranlarda Znkatkılı CdO yarıiletken ince filmlerinin büyütülebildiği gösterilmiştir.Numunelerde Zn katkısının yapısal, optik ve morfolojik özelliklere nasıl etkiettiğinin gözlemlenebilmesi için numunelerin XRD, soğurma ve SEM ölçümlerialınmıştır. XRD ölçümleri ile numunelerin kübik yapıda ve 33° ve (111), 38° ve(200), 55° ve (220), 66° ve (311), 69° ve (222) derece ve düzlemlerde kristalyapıya sahip olduğu gözlenmiştir. Soğurma ölçümleri ile hesaplanan direkt bandaralıklarının CdO yapısı içerisinde Zn katkısı ile önce azaldığı ve sonrasındaZn katkı oranına bağlı olarak arttığı gözlenmiştir. Alınan SEM ölçümleri ile katkısızve Zn katkılı CdO yüzey morfolojisinin Zn katkısı ile değişim sergilediğigözlenmiştir.
In the study, it was shown that undoped and Zn-dopedCdO semiconductor thin films can be grown at room temperature by SILAR method.XRD, absorption and SEM measurements of the samples were taken to observe howthe Zn addition affects the structural, optical and morphological properties ofthe samples. With XRD measurements it was observed that the samples had cubicstructure and crystal structure at 33° and (111), 38° and (200), 55° and (220),66° and (311), 69° and (222) degrees and planes respectively. It was observedthat the direct band gaps calculated by the absorption measurements decreasedwith the Zn doping in the CdO structure and then increased with the Zn dopingratio. It was observed that the undoped and Zn-doped CdO surface morphologyexhibited a change with the doping Zn.