BibTex RIS Cite

Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi

Year 2005, Volume: 9 Issue: 2, 0 - 0, 26.03.2005

E. Kayahan

Abstract

Bıı çalışmada farklı anodizasyon akım yoğımluklarmda üretilmiş Ut'ızenckli silisyuınun (PS) havada sürekli UV ışığı (254 nm) aydınlanması altinda zamana bağlı fotolüminesans (PL) spektrum bozunumu ineelenmiştir Sürekli UV aydınlatılmasında yuksek akım yoğun lıığunda üretilen numunelerin (10 ve 30 mA. cın ) Pl spektrum siddeti azaldığı ve spektrum tepesinin mavi kaydığı gözlenmiştir Ay.rıca bu numuneler için PL şiddet bozunumunun iki zaman sabitli exponansiyel bii vaklaşıma uy duğu ve 3 mA. cm 2akım yoğunluğunda üretilen numune için ise PL şiddet bozunumunun sabit bir fonksionla ifade edilebileceği tespit edilmiştir Artan aktın yoğunluğu ile PL spektrum siddeti artar ve spektrum tepe noktası 12 nin civarında duşıık enerji yönünde yer değiştirir UV ışığı (366 11111) altında bekletilen numunelerin lTlR spektruııılarındaki Si—Hx bağlarına ait soğurma pilderinde (2060— 2150 c111 ) azalma. Si— O Si gerilme (1000 1200 cm )ve Si» l-l defonnasyon bağlarına (830 cm") ait soğurma pilderinde artma gözlenmiştir. PL bozunumundu yüzey kimyasal yapısı etkili rol oynamaktadır

Keywords

Gözenekli silisyum. FHR. fotolttminesans. PL bozunumu

References

  • Canham. L. T., App. Phys. Lett. 57 (1990) 1046.
  • Cullis, A. G.,. Canlıam, L. T. and Calcott PD. J. Appl J.. Phys. 82 (1997)909.
  • Vasquez RP, Fathauer R. W., George. T.. Ksendzov, A. and Lin, Appl T. L, Phys. Lett. 60 (1992)1004.
  • Brandt, M.S._. Fuchs HD.. Stutzmann M., Weber J., M. Cardona, Solid State Commun. 81 (1992) 307.
  • Bhave T. M., lnlullavarad S. S., Bhoraskar S.V.. Hegde S.G.. Kanjila D. 1, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B 156(1999)121—124.
  • Sharma, SN. , Bancrjce R.. Baı'ua A.K., Current Applied Physics, 3 (2003) 269274.
  • Lakshmikumar. ST., Singh PK. _. Current Applied Physics, 3 (2003)185—189.
  • Tischler, M.A., Collins R.T._. Stathis J.H. and et al., Appl. Phys. Lett. , 60(5)(1991)639.
  • Tsai C., and Kinosky D. S., Appl. Phys. Lett., 60(1992)1700.
  • Tsybeskov, L. and Fauchet PM. Appl. Phys. Lett. 64(15) (1994)1983—1985. silicon, Editors; Z.—Chuan Feng and Tsu R., Word Scientific, (1994), p261, Singapore.
  • Polupan G.P., T.V. Torchynska, J.P. Gomez and et ai. J. of electron spectroscopy and related phenomena, 114—1 16 (2001) 235-241.
  • Maruyama T., Ohtani 65(11)(1994)1346—1348.
  • Sperveslage, G.. Grobe, J. and Benninghoven, A.. Presenius J.Anal. Chem, 361 (1998)554—557.
  • Chang, S.S., Sakai, A. and Hummel, R.E., Materials Science and Engineering, B64 (1999) 118—122.
  • Torchynska, T.V.. Korsunska, NE, Dzhumaev, E.R. and et al.. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 61 (1999) 937—941. (4) (1994)484-486.
  • Masato, Ohmukai. Masaki Taniguchi, Yasuo Tsutsumi. Materials Science and Engineering, B86 (200026—28.
  • Singh P. K. and Lakshmjkumar ST., Semicond. Sci. Technolo. 17(2002)l 123—1127.
  • Shan. Li Q. and Chuan Pang R.. Porous silicon. Editors; Z.-Chuan Feng and Tsu R., Word Scientific. (1994), p243. Singapore.

Year 2005, Volume: 9 Issue: 2, 0 - 0, 26.03.2005

E. Kayahan

Abstract

References

  • Canham. L. T., App. Phys. Lett. 57 (1990) 1046.
  • Cullis, A. G.,. Canlıam, L. T. and Calcott PD. J. Appl J.. Phys. 82 (1997)909.
  • Vasquez RP, Fathauer R. W., George. T.. Ksendzov, A. and Lin, Appl T. L, Phys. Lett. 60 (1992)1004.
  • Brandt, M.S._. Fuchs HD.. Stutzmann M., Weber J., M. Cardona, Solid State Commun. 81 (1992) 307.
  • Bhave T. M., lnlullavarad S. S., Bhoraskar S.V.. Hegde S.G.. Kanjila D. 1, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B 156(1999)121—124.
  • Sharma, SN. , Bancrjce R.. Baı'ua A.K., Current Applied Physics, 3 (2003) 269274.
  • Lakshmikumar. ST., Singh PK. _. Current Applied Physics, 3 (2003)185—189.
  • Tischler, M.A., Collins R.T._. Stathis J.H. and et al., Appl. Phys. Lett. , 60(5)(1991)639.
  • Tsai C., and Kinosky D. S., Appl. Phys. Lett., 60(1992)1700.
  • Tsybeskov, L. and Fauchet PM. Appl. Phys. Lett. 64(15) (1994)1983—1985. silicon, Editors; Z.—Chuan Feng and Tsu R., Word Scientific, (1994), p261, Singapore.
  • Polupan G.P., T.V. Torchynska, J.P. Gomez and et ai. J. of electron spectroscopy and related phenomena, 114—1 16 (2001) 235-241.
  • Maruyama T., Ohtani 65(11)(1994)1346—1348.
  • Sperveslage, G.. Grobe, J. and Benninghoven, A.. Presenius J.Anal. Chem, 361 (1998)554—557.
  • Chang, S.S., Sakai, A. and Hummel, R.E., Materials Science and Engineering, B64 (1999) 118—122.
  • Torchynska, T.V.. Korsunska, NE, Dzhumaev, E.R. and et al.. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 61 (1999) 937—941. (4) (1994)484-486.
  • Masato, Ohmukai. Masaki Taniguchi, Yasuo Tsutsumi. Materials Science and Engineering, B86 (200026—28.
  • Singh P. K. and Lakshmjkumar ST., Semicond. Sci. Technolo. 17(2002)l 123—1127.
  • Shan. Li Q. and Chuan Pang R.. Porous silicon. Editors; Z.-Chuan Feng and Tsu R., Word Scientific. (1994), p243. Singapore.
There are 18 citations in total.

Details

Primary Language English
Journal Section TEMEL BİLİMLER
Authors

E. Kayahan This is me

Publication Date March 26, 2005
Published in Issue Year 2005 Volume: 9 Issue: 2

Cite

APA Kayahan, E. (2005). Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 9(2). https://doi.org/10.19113/sdufbed.83699
AMA Kayahan E. Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi. SDÜ Fen Bil Enst Der. March 2005;9(2). doi:10.19113/sdufbed.83699
Chicago Kayahan, E. “Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi”. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9, no. 2 (March 2005). https://doi.org/10.19113/sdufbed.83699.
EndNote Kayahan E (March 1, 2005) Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9 2
IEEE E. Kayahan, “Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi”, SDÜ Fen Bil Enst Der, vol. 9, no. 2, 2005, doi: 10.19113/sdufbed.83699.
ISNAD Kayahan, E. “Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi”. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9/2 (March 2005). https://doi.org/10.19113/sdufbed.83699.
JAMA Kayahan E. Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi. SDÜ Fen Bil Enst Der. 2005;9. doi:10.19113/sdufbed.83699.
MLA Kayahan, E. “Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi”. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol. 9, no. 2, 2005, doi:10.19113/sdufbed.83699.
Vancouver Kayahan E. Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi. SDÜ Fen Bil Enst Der. 2005;9(2).
 Download Cover Image

e-ISSN: 1308-6529