BibTex RIS Cite

Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi

Year 2005, Volume: 9 Issue: 2, 0 - 0, 26.03.2005

Abstract

Bu çalışmada. makro (95 mini) ölçekte gözenekli silisyum (PS) l'oıolüminesansının (PL) uzaysal dağılımı ve uyanma enerjisinin bu dağılıma etkisi görüntü spektroskopisi tekniği (IS) yardımı ile incelenmiştir. PL'nin uzaysal dağılımı, makro ölçekte homojen değildir ve uyarma enerjisine bağlı olarak bölgesel farklılıklar gösterir. Gözenekli silisyumun teknolojik uygulamalarında, verimliliğinin artması için görüntü spektroskopisi çalışmaları önemlidir. Fotolt’ımiııesansın tek düze bozukluğu PS uygulamalarına geçilmeden önce çözülmelidir ve bu ııedenle üretiııı teknolojileri tekrar ele alınmalıdır

References

  • [1] Canham, LT, 1990. Appl. Phys. Lett, 57, 1046 — 1048.
  • Cullis, AG and Canham, LT, Nature, 1991. 353, 335.
  • Wang, J, Jiang, H, Wang, W, Zheng, J, Zhang, F, Hao, P, X, Hao and X, Wang, 1992. Phys. Rev. Lett, 69, 3252.
  • Guerrero—Lemusa, R, Moreno JD, MartinPalma R.], Ben—Hander, F, Martinez—Duart JM, Fien‘o, JLG, Gomez—Garrido, P, 1999. Thin Solid Films, 354,34— 37. Baolin L.. Bingxi J., Journal of Crystal Growth, 247 (2003)445-457.
  • Shinji. Yae , Yukinori Kawarnoto. Hiroyuki Tanaka,
  • Naoki Fukumuro, Hitoshi Matsuda, 2003. Electrochemistry Communications 5, 632—636.
  • Fujiwara, Y, Nishitani, 11, Nakata, H, Ohyama, T, 1992. Jpn. ]. Appi. Phys. 31, L1763. Materials Science and Engn. B86, 26—28.
  • Hossain, SM, Das, J, Chakraborty, S, Dutta, SK, Saha, H, 2002. Semicond. Sci, Technol. 17, 55—59.
  • Nakagava K. et al. 1992. lan. Appi. Phys, 31 L515-L517, part 2, No. 4B,
  • Pi'okes, SM. 1993. Bull. Am. Phys. 800,381, 157. _
  • Kanemitsu, Y, Uto, H, Matsumato, Y, Futagi, T and" Mimura, H, 1993. Phy. Rev. B48, 2857.
  • Nasır, MI, PhD 1994. Thesis, School of Physics and Space Research, The University of Birmingham.
  • Halimaoui, A, 1995. Porous silicon: material processing, properties and applications, Porous silicon science and technology, Edited by: Jean- Clode Vial et a1. p.33, Springer-Verlag.
  • Lehmann, V, 1993. Micro porous silicon: Formation mechanism and preparation method, Optical properties of low dimensional Silicon structures, Edited by: Daniel C. Bensahel et al., p.2, Kluwer Aced. Press.
  • Nishitani, H, Nakata, H, Ohyurna, T and Fujiwara, Y, 1992. The Proceeding of the 21 st International Conference on the Physics of Semiconductors (word sci., Singapore, P.1455.
  • Searson, PC, Macauley, IM and Prokes, SM, 1992. Electrochem. Soc. 139, 3373.
Year 2005, Volume: 9 Issue: 2, 0 - 0, 26.03.2005

Abstract

References

  • [1] Canham, LT, 1990. Appl. Phys. Lett, 57, 1046 — 1048.
  • Cullis, AG and Canham, LT, Nature, 1991. 353, 335.
  • Wang, J, Jiang, H, Wang, W, Zheng, J, Zhang, F, Hao, P, X, Hao and X, Wang, 1992. Phys. Rev. Lett, 69, 3252.
  • Guerrero—Lemusa, R, Moreno JD, MartinPalma R.], Ben—Hander, F, Martinez—Duart JM, Fien‘o, JLG, Gomez—Garrido, P, 1999. Thin Solid Films, 354,34— 37. Baolin L.. Bingxi J., Journal of Crystal Growth, 247 (2003)445-457.
  • Shinji. Yae , Yukinori Kawarnoto. Hiroyuki Tanaka,
  • Naoki Fukumuro, Hitoshi Matsuda, 2003. Electrochemistry Communications 5, 632—636.
  • Fujiwara, Y, Nishitani, 11, Nakata, H, Ohyama, T, 1992. Jpn. ]. Appi. Phys. 31, L1763. Materials Science and Engn. B86, 26—28.
  • Hossain, SM, Das, J, Chakraborty, S, Dutta, SK, Saha, H, 2002. Semicond. Sci, Technol. 17, 55—59.
  • Nakagava K. et al. 1992. lan. Appi. Phys, 31 L515-L517, part 2, No. 4B,
  • Pi'okes, SM. 1993. Bull. Am. Phys. 800,381, 157. _
  • Kanemitsu, Y, Uto, H, Matsumato, Y, Futagi, T and" Mimura, H, 1993. Phy. Rev. B48, 2857.
  • Nasır, MI, PhD 1994. Thesis, School of Physics and Space Research, The University of Birmingham.
  • Halimaoui, A, 1995. Porous silicon: material processing, properties and applications, Porous silicon science and technology, Edited by: Jean- Clode Vial et a1. p.33, Springer-Verlag.
  • Lehmann, V, 1993. Micro porous silicon: Formation mechanism and preparation method, Optical properties of low dimensional Silicon structures, Edited by: Daniel C. Bensahel et al., p.2, Kluwer Aced. Press.
  • Nishitani, H, Nakata, H, Ohyurna, T and Fujiwara, Y, 1992. The Proceeding of the 21 st International Conference on the Physics of Semiconductors (word sci., Singapore, P.1455.
  • Searson, PC, Macauley, IM and Prokes, SM, 1992. Electrochem. Soc. 139, 3373.
There are 16 citations in total.

Details

Primary Language English
Journal Section TEMEL BİLİMLER
Authors

E. Kayahan This is me

F. Hacızade This is me

Publication Date March 26, 2005
Published in Issue Year 2005 Volume: 9 Issue: 2

Cite

APA Kayahan, E., & Hacızade, F. (2005). Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 9(2). https://doi.org/10.19113/sdufbed.42760
AMA Kayahan E, Hacızade F. Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi. J. Nat. Appl. Sci. March 2005;9(2). doi:10.19113/sdufbed.42760
Chicago Kayahan, E., and F. Hacızade. “Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi”. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9, no. 2 (March 2005). https://doi.org/10.19113/sdufbed.42760.
EndNote Kayahan E, Hacızade F (March 1, 2005) Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9 2
IEEE E. Kayahan and F. Hacızade, “Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi”, J. Nat. Appl. Sci., vol. 9, no. 2, 2005, doi: 10.19113/sdufbed.42760.
ISNAD Kayahan, E. - Hacızade, F. “Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi”. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9/2 (March 2005). https://doi.org/10.19113/sdufbed.42760.
JAMA Kayahan E, Hacızade F. Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi. J. Nat. Appl. Sci. 2005;9. doi:10.19113/sdufbed.42760.
MLA Kayahan, E. and F. Hacızade. “Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi”. Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol. 9, no. 2, 2005, doi:10.19113/sdufbed.42760.
Vancouver Kayahan E, Hacızade F. Gözenekli Silisyum İle Görüntü Spektroskopisi Çalışmaları: Uyartma Enerjisinin Fotolüminesansa Etkisi. J. Nat. Appl. Sci. 2005;9(2).

e-ISSN :1308-6529
Linking ISSN (ISSN-L): 1300-7688

All published articles in the journal can be accessed free of charge and are open access under the Creative Commons CC BY-NC (Attribution-NonCommercial) license. All authors and other journal users are deemed to have accepted this situation. Click here to access detailed information about the CC BY-NC license.