TY  - JOUR
TT  - Au/(PrBaCoO nanofiber)/n-Si Yapılarda Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Frekans ve Gerilime Bağlı Dağılım Profillerinin Farklı Metotlarla Elde Edilmesi
AU  - Demirezen, Selçuk
PY  - 2017
DA  - September
JF  - Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji
JO  - GUJS Part C
PB  - Gazi Üniversitesi
WT  - DergiPark
SN  - 2147-9526
SP  - 167
EP  - 176
VL  - 5
IS  - 3
KW  - Au/PrBaCoO-nanofiber/n-Si yapılar/kapasitörler
KW  - Admitans ölçümleri
KW  - Arayüzey durumları ve seri direnç
KW  - frekans ve voltaj bağımlılğı
N2  - Bu çalışmada PrBaCoO-nanofiberarayüzey tabakalı metal-yarıiletken (Au/n-Si) yapılarda arayüzey durumlarınınyoğunluğunun (Nss) ve seri direncin (Rs) hem frekans hem de voltaja bağlıincelendi. Bu amaçla hem kapasitans-gerilim (C-V) hem de iletkenlik-gerilim (G/w-V) ölçümlerioda sıcaklığında, 1 kHz-1 MHz frekans ve (±3 V) gerilim aralığındagerçekleştirildi. Arayüzey durumlarının frekans ve gerilime bağlı dağılımlarıhem Hill Coleman hem de yüksek-düşük kapasitans (CHF-CLF) metotlarından, Rs iseNicollian-Brews metodundan elde edildi. Arayüzey durumlarının ve onların yaşamasüreleri (t) ise Nicollien and Goetzberger tarafından geliştirilenAdmittance/Kondüktans metodundan elde edilmiştir. Deneysel sonuçlar, empedansölçümlerinde Nss durumlarının özellikle tüketim ve terslenim bölgelerindeetkili iken Rs nin sadece yığılma bölgesinde ve yüksek frekanslarda etkinolduğunu göstermiştir. Ölçülen C-V ve G/w-V grafikleri üzerine Rsetkisini minimize etmek için, ölçülen kapasitans ve iletkenlik değerleri yüksekfrekanslar için düzeltilmiştir. Sonuç olarak, kapasitörlerde arayüzey tabakaolarak, geleneksel düşük dielektrikli SiO2 yerine PrBaCoO gibiyüksek dielektrkli malzemelerin kulanılması halinde, kapasitörde çok daha fazlamiktarda yük ve dolayısıyla enerji depolanabileceğini göstermiştir.
CR  - [1] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley and Sons, New York, 1981.
CR  - [2] E.H. Nicollian, J.R. Brews, Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology
Wiley, New York 1982.
CR  - [3] E. H. Nicollian, A. Goetzberger, Bell Syst. Tech. J., 46 (1967) 1055-1133.
CR  - [4] Y. Şafak Asar, T. Asar, Ş. Altındal, S. Özçelik, Journal of Alloys And Compounds, 628 (2015) 442.
CR  - [5] M. Jayalakshmi, K. Balasubramanian, Int. J. Electrochem. Sci, 3 (2008) 1196-1217.
CR  - [6] J. Ho, T. Richard Jow, S. Boggs, IEEE Electrical Insulation Magazine, 26 (2010) 20-25.
CR  - [7] S. A. Yerişkin, H. İ. Ünal, B. Sarı, Journal of Appliad Polymer Sceince 120 (2011) 390.
CR  - [8] E.H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford University, 1978.
CR  - [9] S. Demirezen, Ş. Altındal, S. Özçelik, E. Özbay, Microelectronics Reliability 51 (2011) 2153.
CR  - [10] A. Kaya, H. Tecimer, Ö. Vural, I. H. Taşdemir, S.  Altındal, IEEE Trans. on Elec. Dev.   61 (2014) 584
CR  - [11] S. Demirezen, E. Özavcı, Ş. Altındal, Materials Science in Semiconductor Processing 23 (2014) 1–6.
CR  - [12] B. Şahin, H. Çetin, E. Ayyıldız, Solid State Communications 135 (2005) 490.
CR  - [13] I.M. Afandiyeva, I. Dökme, Ş. Altındal, L.K. Abdullayeva, Sh.G. Askerov, Microelectronic Engineering 85 (2008) 365.
CR  - [14] M.M. Bulbul, S. Zeyrek, Microelectronic Engineering 83 (2006) 2522.
CR  - [15] I.M. Afandiyeva, S. Demirezen, Ş. Altındal, Journal of Alloys and Compounds 552 (2013) 423.
CR  - [16] H.C. Card, E.H. Rhoderick, J Phys D Appl Phys, 4 (1971) 1589.
CR  - [17] E.H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford University, 1978.
CR  - [18] P. Chattopadhyay, B. Raychaudhuri, Solid State Electron. 35 (1992) 1023.
CR  - [19]S. Demirezen, A. Kaya, Ö. Vural, Ş. Altındal, Materials Science in Semiconductor Processing, 33(2015)140–148.
CR  - [20] S. Altındal, H. Uslu, J. Appl. Phys. 109 (2011) 074503.
CR  - [21] Ö. Tüzün, Ş. Altındal, Ş. Öktik, Materials Science and Engineering B 134 (2006) 291.
CR  - [22] P. S. Ho, E. S. Yang, H. L. Evans, X. Wu, Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 177.
CR  - [23] J. Werner. A. F. J. Levi, R.T. Tung, M. Anslowar, M. Pinto, Phys. Rev. Lett. 60 (1988) 53.
CR  - [24] W.A. Hill, C.C. Coleman, Solid State Electron. 23 (1980) 987.
CR  - [25] Ş. Altındal, H.Kanbur, İ. Yücedağ, A. Tataroğlu, Microelectron. Engin. 85 (2008) 1495-
     1501.
CR  - [26] M. Depas,R. L. Van Meirhaeghe, W. H.Laflere, F. Cardon, Semicond. Sci. Technol. 7 (1992)  
      1476-1483.
CR  - [27] N. Konofaos, I. P. McClean, C. B. Thomas, Phys. Stat. Sol (a), 161 (1997) 111.
CR  - [28] A. Singh, Solid State Electronics, Vol 28 (1985) 223-232.
UR  - https://dergipark.org.tr/tr/pub/gujsc/issue//310410
L1  - https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/341513
ER  -