@article{article_367051, title={Gama-Işınlarına Maruz Bırakılan 4-Metilbenzilamin Glioksim Tek Kristalinin EPR ve Simülasyon Tekniği ile İncelenmesi}, journal={Politeknik Dergisi}, volume={8}, pages={397–401}, year={2005}, author={Akpınar, Ülkü and Yüksel, Hüseyin and Yıldırım, Bilge and Birey, Mehmet}, keywords={EPR, Spektroskopik Yarılma Faktörü, g, Aşırı İnce Yapı Etkileşme Sabiti, , Spin Yoğunluğu, .}, abstract={Gama ışınlarına maruz bırakılan 4-Metil Benzilamin Glioksim (4-MBG) tek kristallerinin elektron paramanyetik rezonansı, manyetik alanda kristalin farklı yönelimleri için gözlenmiş ve analiz edilmiştir. 4-MBG tek kristalleri 100 K ve 400 K arasındaki sıcaklıklarda incelenmiştir. g-faktörünün ortalama değeri ve aşırı ince yapı yarılmasının değerleri sırası ile g=1,999, , ve olarak bulunmuştur. Çiftlenmemiş elektronun rN(NH) = 0,5 ve rH(NH) = 0,5 ile sırasıyla azot ve hidrojen üzerinde lokalize olduğunu ölçümler göstermiştir. Çiftlenmemiş elektron ile protonlar ve azotun g değeri ve aşırı ince yapı etkileşme sabitleri EPR ve simülasyon tekniği ile belirlenmiştir.}, number={4}, publisher={Gazi Üniversitesi}