@article{article_372447, title={FTALOSIYANIN İNCE FILMDE EMPEDANS SPEKTROSKOPI VE DIELEKTRIK DURULMA}, journal={Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi}, volume={22}, pages={145–152}, year={2017}, DOI={10.17482/uumfd.372447}, author={Can, Nursel and Altındal, Ahmet}, keywords={Ftalosiyanin,Empedans,Durulma,Ac iletkenlik,CBH model}, abstract={<p class="MsoNormal" style="margin-bottom:0cm;margin-bottom:.0001pt;text-align: justify;line-height:normal"> <span lang="EN-US" style="font-size:10.0pt; font-family:"Times New Roman","serif";mso-ansi-language:EN-US">Döndürerek kaplama yöntemiyle hazırlanan top tipi çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerin dielektrik durulma davranışları 5 Hz. ile 13x10 <sup>6 </sup> Hz frekans aralığında sıcaklığa bağlı olarak (298 K – 468 K sıcaklık aralığında) empedans spektroskopi yöntemiyle incelenmiştir. Elde edilen verilerin modellenmesinde sistemin dielektrik davranışının paralel RC eşdeğer devre ile temsil edilebileceği görülmüştür. Filmlerde ac iletkenliğin frekansa bağlılığının ω <sup>m </sup> şeklinde olduğu ve frekansın üssü olan m parametresinin kuvvetle sıcaklığa bağlı olduğu gözlemlenmiştir. Deneysel olarak elde edilen ac iletkenlik verileri iki farklı model kullanılarak analiz edilmiştir. Frekansın üssü olan m parametresinin sıcaklığa bağlılığının incelenmesinde çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerde ac yük iletiminin hoplama mekanizması sayesinde gerçekleştiği sonucuna varılmıştır. <o:p> </o:p> </span> </p>}, number={3}, publisher={Bursa Uludağ Üniversitesi}