Bu çalışmada, amorf cam
alttaşlar üzerine InGaN ince filmler hızlı ve düşük maliyetli olan termiyonik
vakum ark yöntemi ile doğrudan üretilmiştir. İnce filmler tek bir deneyde
alttaş ısıtma uygulamadan 2 farklı anot-alttaş arası mesafede biriktirilmiştir.
Üretilen InGaN ince filmlerin yapısal ve yüzeysel özellikleri uygun analiz
yöntemleri ile belirlenmiştir. X-ışını kırınım (XRD) cihazı ile XRD desenleri
belirlenerek kristal boyutları Scherrer yöntemi tarafından hesaplanmıştır.
Hekzagonal wurtzite kristal yapılı %50 In katkılı GaN filmlerin üretildiği
belirlenmiştir. InGaN ince filmlerin yüzeysel özellikleri ise atomik kuvvet
mikroskobu aracılığıyla tespit edilmiştir. Yüzey özellikleri belirlenirken
histogram analizleri ve boyut analizleri yapılmıştır. GaN temelli cihazların
üretiminde termiyonik vakum ark yönteminin alternatif üretim sistemi olduğu
görülmüştür.
InGaN Termiyonik vakum ark Yapısal özellikler Yüzey özellikleri
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Makaleler |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 28 Mayıs 2019 |
Gönderilme Tarihi | 14 Şubat 2018 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2019 |