BibTex RIS Kaynak Göster

In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik

Yıl 2006, Cilt: 8 Sayı: 1, 38 - 45, 01.06.2006

Hüseyin Sarı Harry H. Wieder

Öz

Inx 1-xAs bileşik yarıiletken malzemelerde kalıcı fotoiletkenlik etki indiyum komposizyonuna bağlı olarak incelendi. InxAl1-xAs bileşiği (0.10 ≤ x ≤ 0.34 ), daha düşük enerji aralığına sahip olan InyGa1-yAs ile birlikte heteroyapı oluşturmaya elverişli olacak şekilde yarıyalıtkan GaAs alttaşı üzerinde molekül demetli epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü ve InxAl1-xAs katmanı büyütme sırasında silikon ile düzlemsel olarak katkılandı. Alttaş ile film arasında oluşan örgü uyuşmazlığı, basamak şeklinde tampon ara filmler büyütülerek giderildi. Kalıcı fotoiletkenlik etki, InxAl1-xAs/InyGa1-yAs arayüzeyde oluşan iki boyutlu elektron gaz yoğunluğu sıcaklığın fonksiyonu ve optik uyarılmaya bağlı olarak Hall yöntemi ile ölçüldü. Kritik sıcaklık TC=200 ± 10 K olarak bulundu. İncelenen örneklerin hepsinde fotoiletkenlik gözlendi ve fotoiletkenliğin en büyük değeri In0.15Al0.85As bileşiğinde ölçüldü

Anahtar Kelimeler

DX merkezleri bileşik yarıiletkenler InAlAs kalıcı fotoiletkenlik MODFET

Kaynakça

  • 1- Dingle, R., Stormer, H. L., Gossard, A. C. ve Wiegmann, W., “Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices” Appl. Phys. Lett., 33: 665-667, (1978).
  • 2- Lang, D. V. ve Logan, R. A., “Large-Lattice-Relaxation Model for Persistent Photoconductivity in Compound Semiconductors” Phys. Rev. Lett., 39: 635-639, (1977).
  • 3- Chadi, D. J. ve Chang, K. J., “Theory of the Atomic and Electronic Structure of DX Centers in GaAs and AlxGa1-xAs Alloys” Phys. Rev. Lett, 61: 873-876, (1988).
  • 4- Mooney, P. M., “Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors” J. Appl. Phys., 67: 3, R1-R26, (1990).
  • 5- Young, A. P. ve Wieder, H. H., “Evidence for the occupation of DX centers in In0.29Al0.71As”, J. Vac. Sci. Technol. B., 14 (4): 2944-2949, (1996).
  • 6- Mooney, P. M. ve Caswell, N. S., Wright, S. L., “The capture barrier of the DX center in Si-doped AlxGa1-xAs”J. Appl. Phys., 62 (12):4786-4797(1987).
  • 7- Malloy, K. J. ve Khachaturyan, K., “Semiconductors and Semimetals”, Academic Press, 38, 235 (1993).
  • 8- Sari, H. ve Wieder, H. H., “DX centers in InxAl1-xAs” J. of Appl. Phys., 85, (6):3380- 3382, (1999).

Yıl 2006, Cilt: 8 Sayı: 1, 38 - 45, 01.06.2006

Hüseyin Sarı Harry H. Wieder

Öz

The persistent photoconductivity effect in InxAl1-xAs compound semiconductors has been investigated as a function of indium composition. Different InxAl1-xAs epitaxial layers (0.10 ≤ x ≤ 0.34) in a InxAl1-xAs/ InxGa1-xAs like heterostructure were grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrate and InxAl1-xAs layer was δ-doped with silicon. In order to compensate the lattice mismatch between epitaxial layers and their substrate, step graded buffer layer was used. The carrier concentration in the InxAl1-xAs/ InxGa1-xAs interface as a function of temperature and optical excitation has been measured. Critical temperature for these compounds is estimated to be as TC=200 ± 10 K. PPC effect was observed in all samples with the highest percent change in In0.15Al0.85As sample

Anahtar Kelimeler

DX centers compound semiconductors InAlAs persistent photoconductivity (PPC) MODFET

Kaynakça

  • 1- Dingle, R., Stormer, H. L., Gossard, A. C. ve Wiegmann, W., “Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices” Appl. Phys. Lett., 33: 665-667, (1978).
  • 2- Lang, D. V. ve Logan, R. A., “Large-Lattice-Relaxation Model for Persistent Photoconductivity in Compound Semiconductors” Phys. Rev. Lett., 39: 635-639, (1977).
  • 3- Chadi, D. J. ve Chang, K. J., “Theory of the Atomic and Electronic Structure of DX Centers in GaAs and AlxGa1-xAs Alloys” Phys. Rev. Lett, 61: 873-876, (1988).
  • 4- Mooney, P. M., “Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors” J. Appl. Phys., 67: 3, R1-R26, (1990).
  • 5- Young, A. P. ve Wieder, H. H., “Evidence for the occupation of DX centers in In0.29Al0.71As”, J. Vac. Sci. Technol. B., 14 (4): 2944-2949, (1996).
  • 6- Mooney, P. M. ve Caswell, N. S., Wright, S. L., “The capture barrier of the DX center in Si-doped AlxGa1-xAs”J. Appl. Phys., 62 (12):4786-4797(1987).
  • 7- Malloy, K. J. ve Khachaturyan, K., “Semiconductors and Semimetals”, Academic Press, 38, 235 (1993).
  • 8- Sari, H. ve Wieder, H. H., “DX centers in InxAl1-xAs” J. of Appl. Phys., 85, (6):3380- 3382, (1999).
Toplam 8 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Diğer ID JA22DM66YP
Bölüm Araştırma Makalesi
Yazarlar

Hüseyin Sarı Bu kişi benim

Harry H. Wieder Bu kişi benim

Yayımlanma Tarihi 1 Haziran 2006
Gönderilme Tarihi 1 Haziran 2006
Yayımlandığı Sayı Yıl 2006 Cilt: 8 Sayı: 1

Kaynak Göster

APA Sarı, H., & Wieder, H. H. (2006). In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 8(1), 38-45.
AMA Sarı H, Wieder HH. In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. BAUN Fen. Bil. Enst. Dergisi. Haziran 2006;8(1):38-45.
Chicago Sarı, Hüseyin, ve Harry H. Wieder. “In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 8, sy. 1 (Haziran 2006): 38-45.
EndNote Sarı H, Wieder HH (01 Haziran 2006) In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 8 1 38–45.
IEEE H. Sarı ve H. H. Wieder, “In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”, BAUN Fen. Bil. Enst. Dergisi, c. 8, sy. 1, ss. 38–45, 2006.
ISNAD Sarı, Hüseyin - Wieder, Harry H. “In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 8/1 (Haziran 2006), 38-45.
JAMA Sarı H, Wieder HH. In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. BAUN Fen. Bil. Enst. Dergisi. 2006;8:38–45.
MLA Sarı, Hüseyin ve Harry H. Wieder. “In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, c. 8, sy. 1, 2006, ss. 38-45.
Vancouver Sarı H, Wieder HH. In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. BAUN Fen. Bil. Enst. Dergisi. 2006;8(1):38-45.