PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Year 2010, Volume: 2 Issue: 2, 43 - 47, 15.06.2010

Bünyamin Şahin , Sedat Ağan

Abstract

Yaptığımız bu deneysel çalışmada; SiOx yapı içerisinde oluşturulmuş Ge ve SiGe nanokristalleinin optiksel ve elektriksel özelliklerini TEM, Raman ve Fotoışıma spekroskopileri teknikleri yardımıyla araştırdık. SiOx yapı içerisindeki Ge nanokristaller farklı tavlama sürelerinde Plazma ile hızlandırılmış kimyasal buharlatırma tekniği (PECVD yardımıyla oluşturuldu. Çalışmamızın amacı SiOx yapı içerisindeki Ge ve SiGe nanokristallerin boyut ve boyut dağılımlarını tavlama sürecine bağlı olarak araştırmaktır. TEM, Raman ve Fotoışıma ölçümleri yardımıyla nanokristallerin karakteri

Keywords

Kuantum nokta yapı, PECVD, TEM, Fotoışıma, Silikon oksit

PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Abstract

We report an experimental study, optical properties of Ge and SiGe nanocrystals in SiOx structures are investigated by using Transmission Electron Microscopy (TEM), Raman and Photlüminescence Spectroscopy techniques. Ge nanocrystals in silicon oxide thin films have been grown with different annealing time by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique. The aim of our work is to determine size and size distiributions Ge, SiGe nanocrystals in SiOx martix due to annealing processes. TEM, Raman and Photolüminescence (PL) measuruments have been used to characterize their cyrstallization and light emission properties.

Keywords

Quantumdot, PECVD, TEM, Photolüminescence Silicon Oxide

References

• [1] Wang Y Q , Kong G L at al. PPl. Phys.Lett. 202-281 (2002 ) [2] Shlimak I, Vagner and Safarov V I 2000 Proc. 25th Int. Conf. On the Phiysics of Semiconductors (Osake:Springer) [3] Optical properties of semiconductor nanocrystal, Gaponenko S. V., Cambridge University press (1998) [4] Nishii J. Kintaka K. Hosono H. Kawazone H. Kato M and Muta K Phys. Rev. B 60 7166 (1999) [5] Oha R, Sugiyama N and Uchida K IEDM Tech. Dig. 557 (2002) [6] Kanoun M, Souifi A, Baron T, Mazen F. Appl Phys Lett;84:5079 (2004). [7] Dana A., Ağan S., Tokay S., Aydınlı A., Finstand T. G. Phys. Sat. Sol. C 4,No.2,288-291 (2007). [8] Ağan S., Dana A. , Aydınlı A. , J. Phys. Condes. Matter. 18, 5037- 5045 (2006). [9] Brongersma M. L., Polman A., . Min K.S., Boer E., Tambo T. and AtwaterH.A. , Appl. Phys. Lett. 72 2577 (1998). [10] Neufeld E., Wang S., Apetz R., Buchal Ch., Carius R., White C. W. and Thomas D. K. , Thın Solid Films,294 238 (1997). [11] Wilkinson A. R., and Elliman R. G., Phys. Rev. B 68 155302 (2003). [12] Ağan. S,.Çelik-Aktaş A,.Zuo J.M, Dana A., Aydınlı A. Appl. Phys. A 83, 107-110 (2006). [13] Fuji M., Hayashi S. and Yamamoto K., Appl. Phys. Lett. 57 2692 (1990). [14] Fuji M., Hayashi S. and Yamamoto K., Jpn. J. Appl. Phys. 30 687 (1991) [15] K. Eberl, O.G. Schmit, R. Duschl, O. Kienzle, E. Ernst and Y. Rau, Thin Solid Films, 369, 33 (2000). [16] Talalaev G. , Cirlin G. E., Tonkikh A. A., Zakharov N. D. , Werner, Gösele P. U., Tomm J. W. and Elsaesser T. , Nanoscale Res. Lett, 1 (2) 137 (2006).