BibTex RIS Cite

In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik

Year 2006, Volume: 8 Issue: 1, 38 - 45, 01.06.2006

Hüseyin Sarı Harry H. Wieder

https://izlik.org/JA56EG85CW

Abstract

Inx 1-xAs bileşik yarıiletken malzemelerde kalıcı fotoiletkenlik etki indiyum komposizyonuna bağlı olarak incelendi. InxAl1-xAs bileşiği (0.10 ≤ x ≤ 0.34 ), daha düşük enerji aralığına sahip olan InyGa1-yAs ile birlikte heteroyapı oluşturmaya elverişli olacak şekilde yarıyalıtkan GaAs alttaşı üzerinde molekül demetli epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü ve InxAl1-xAs katmanı büyütme sırasında silikon ile düzlemsel olarak katkılandı. Alttaş ile film arasında oluşan örgü uyuşmazlığı, basamak şeklinde tampon ara filmler büyütülerek giderildi. Kalıcı fotoiletkenlik etki, InxAl1-xAs/InyGa1-yAs arayüzeyde oluşan iki boyutlu elektron gaz yoğunluğu sıcaklığın fonksiyonu ve optik uyarılmaya bağlı olarak Hall yöntemi ile ölçüldü. Kritik sıcaklık TC=200 ± 10 K olarak bulundu. İncelenen örneklerin hepsinde fotoiletkenlik gözlendi ve fotoiletkenliğin en büyük değeri In0.15Al0.85As bileşiğinde ölçüldü

Keywords

DX merkezleri bileşik yarıiletkenler InAlAs kalıcı fotoiletkenlik MODFET

References

  • 1- Dingle, R., Stormer, H. L., Gossard, A. C. ve Wiegmann, W., “Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices” Appl. Phys. Lett., 33: 665-667, (1978).
  • 2- Lang, D. V. ve Logan, R. A., “Large-Lattice-Relaxation Model for Persistent Photoconductivity in Compound Semiconductors” Phys. Rev. Lett., 39: 635-639, (1977).
  • 3- Chadi, D. J. ve Chang, K. J., “Theory of the Atomic and Electronic Structure of DX Centers in GaAs and AlxGa1-xAs Alloys” Phys. Rev. Lett, 61: 873-876, (1988).
  • 4- Mooney, P. M., “Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors” J. Appl. Phys., 67: 3, R1-R26, (1990).
  • 5- Young, A. P. ve Wieder, H. H., “Evidence for the occupation of DX centers in In0.29Al0.71As”, J. Vac. Sci. Technol. B., 14 (4): 2944-2949, (1996).
  • 6- Mooney, P. M. ve Caswell, N. S., Wright, S. L., “The capture barrier of the DX center in Si-doped AlxGa1-xAs”J. Appl. Phys., 62 (12):4786-4797(1987).
  • 7- Malloy, K. J. ve Khachaturyan, K., “Semiconductors and Semimetals”, Academic Press, 38, 235 (1993).
  • 8- Sari, H. ve Wieder, H. H., “DX centers in InxAl1-xAs” J. of Appl. Phys., 85, (6):3380- 3382, (1999).

Year 2006, Volume: 8 Issue: 1, 38 - 45, 01.06.2006

Hüseyin Sarı Harry H. Wieder

https://izlik.org/JA56EG85CW

Abstract

The persistent photoconductivity effect in InxAl1-xAs compound semiconductors has been investigated as a function of indium composition. Different InxAl1-xAs epitaxial layers (0.10 ≤ x ≤ 0.34) in a InxAl1-xAs/ InxGa1-xAs like heterostructure were grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrate and InxAl1-xAs layer was δ-doped with silicon. In order to compensate the lattice mismatch between epitaxial layers and their substrate, step graded buffer layer was used. The carrier concentration in the InxAl1-xAs/ InxGa1-xAs interface as a function of temperature and optical excitation has been measured. Critical temperature for these compounds is estimated to be as TC=200 ± 10 K. PPC effect was observed in all samples with the highest percent change in In0.15Al0.85As sample

Keywords

DX centers compound semiconductors InAlAs persistent photoconductivity (PPC) MODFET

References

  • 1- Dingle, R., Stormer, H. L., Gossard, A. C. ve Wiegmann, W., “Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices” Appl. Phys. Lett., 33: 665-667, (1978).
  • 2- Lang, D. V. ve Logan, R. A., “Large-Lattice-Relaxation Model for Persistent Photoconductivity in Compound Semiconductors” Phys. Rev. Lett., 39: 635-639, (1977).
  • 3- Chadi, D. J. ve Chang, K. J., “Theory of the Atomic and Electronic Structure of DX Centers in GaAs and AlxGa1-xAs Alloys” Phys. Rev. Lett, 61: 873-876, (1988).
  • 4- Mooney, P. M., “Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors” J. Appl. Phys., 67: 3, R1-R26, (1990).
  • 5- Young, A. P. ve Wieder, H. H., “Evidence for the occupation of DX centers in In0.29Al0.71As”, J. Vac. Sci. Technol. B., 14 (4): 2944-2949, (1996).
  • 6- Mooney, P. M. ve Caswell, N. S., Wright, S. L., “The capture barrier of the DX center in Si-doped AlxGa1-xAs”J. Appl. Phys., 62 (12):4786-4797(1987).
  • 7- Malloy, K. J. ve Khachaturyan, K., “Semiconductors and Semimetals”, Academic Press, 38, 235 (1993).
  • 8- Sari, H. ve Wieder, H. H., “DX centers in InxAl1-xAs” J. of Appl. Phys., 85, (6):3380- 3382, (1999).
There are 8 citations in total.

Details

Other ID JA22DM66YP
Authors

Hüseyin Sarı This is me

Harry H. Wieder This is me

Submission Date June 1, 2006
Publication Date June 1, 2006
IZ https://izlik.org/JA56EG85CW
Published in Issue Year 2006 Volume: 8 Issue: 1

Cite

APA Sarı, H., & Wieder, H. H. (2006). In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 8(1), 38-45. https://izlik.org/JA56EG85CW
AMA 1.Sarı H, Wieder HH. In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi. 2006;8(1):38-45. https://izlik.org/JA56EG85CW
Chicago Sarı, Hüseyin, and Harry H. Wieder. 2006. “In(x)Al(1-X)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 8 (1): 38-45. https://izlik.org/JA56EG85CW.
EndNote Sarı H, Wieder HH (June 1, 2006) In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 8 1 38–45.
IEEE [1]H. Sarı and H. H. Wieder, “In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”, Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol. 8, no. 1, pp. 38–45, June 2006, [Online]. Available: https://izlik.org/JA56EG85CW
ISNAD Sarı, Hüseyin - Wieder, Harry H. “In(x)Al(1-X)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 8/1 (June 1, 2006): 38-45. https://izlik.org/JA56EG85CW.
JAMA 1.Sarı H, Wieder HH. In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi. 2006;8:38–45.
MLA Sarı, Hüseyin, and Harry H. Wieder. “In(x)Al(1-X)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol. 8, no. 1, June 2006, pp. 38-45, https://izlik.org/JA56EG85CW.
Vancouver 1.Hüseyin Sarı, Harry H. Wieder. In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi [Internet]. 2006 Jun. 1;8(1):38-45. Available from: https://izlik.org/JA56EG85CW