Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri

Volume: 4 Number: 1 June 1, 2015
M Benhaliliba , Ys Ocak , H Mokhtari , Ce Benouis , Ms Aida
EN TR

Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri

Abstract

Keywords

Ultrasonik Püskürtme Proliz,ZnO film,I-V karakteristiği,Karanlık ve Aydınlık Pozlama,Doğrultma özelliği

References

  1. M. Benhaliliba, C.E. Benouis, M.S. Aida, F. Yakuphanoglu, A. Sanchez Juarez, J. Sol-Gel Sci. Technol. (2010)doi 10.1007/s10971-010-2258-x.
  2. C.E. Benouis, M. Benhaliliba, A. Sanchez Juarez, M.S. Aida, F. Chami, F. 302 Yakuphanoglu, J. Alloys Compd. 490 (2010) 62-67.
  3. Y.S.Ocak, M. Kulakci, R. Turan, T. Kilicoglu, O. Gullu, Journal of Alloys and Compounds 509 (2011) 6631-6634.
  4. Gwang-Hee Nam, Seong-Ho Baek, Il-Kyu Park, Journal of Alloys and Compounds 613 (2014) 37-41.
  5. Y. Liu, J. Yu, P.T. Lai, International Journal of Hydrogen Energy 39 (2014) 10313-10319. [6] Y. S. Ocak, Journal of Alloys and Compounds 513 (2012) 130-134.
  6. M. Benhaliliba, C.E. Benouis, A. Tiburcio-Silver, Y.S. Ocak , EPJ Web of Conferences 44 03003 (2013) DOI: 10.1051/ epjconf/2013 44 03003.
  7. M. Benhaliliba, C.E. Benouis, Z. Mouffak, Y.S. Ocak, A. Tiburcio-Silver, M.S. Aida, A.A. Garcia, A. Tavira, A. Sanchez Juarez, Superlattices and Microstructures 63 (2013) 228-239.
  8. J. Herrán, I. Fernández, R. Tena-Zaera, E. Ochoteco, G. Cabanero, H. Grande, Sensors and Actuators B 174 (2012) 274-278.
  9. U. Ozgur, Y.I. Alivov, C. Liu, et al., J. Appl. Phys. 98 (2005) 041301.
  10. Sze, S.M., Kwok k. Ng 2007, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York.
APA
Benhaliliba, M., Ocak, Y., Mokhtari, H., Benouis, C., & Aida, M. (2015). Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 4(1), 55-58. https://doi.org/10.1007/s10971-010-2258-x.
AMA
1.Benhaliliba M, Ocak Y, Mokhtari H, Benouis C, Aida M. Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. DUFED. 2015;4(1):55-58. doi:10.1007/s10971-010-2258-x.
Chicago
Benhaliliba, M, Ys Ocak, H Mokhtari, Ce Benouis, and Ms Aida. 2015. “Al/ZnO/P-Si/Al/Schottky/Diyotunun/Güneş/Pili/Uygulamaları/İçin//Mikroelektronik/Parametreleri”. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 4 (1): 55-58. https://doi.org/10.1007/s10971-010-2258-x.
EndNote
Benhaliliba M, Ocak Y, Mokhtari H, Benouis C, Aida M (June 1, 2015) Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 4 1 55–58.
IEEE
[1]M. Benhaliliba, Y. Ocak, H. Mokhtari, C. Benouis, and M. Aida, “Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri”, DUFED, vol. 4, no. 1, pp. 55–58, June 2015, doi: 10.1007/s10971-010-2258-x.
ISNAD
Benhaliliba, M - Ocak, Ys - Mokhtari, H - Benouis, Ce - Aida, Ms. “Al/ZnO/P-Si/Al/Schottky/Diyotunun/Güneş/Pili/Uygulamaları/İçin//Mikroelektronik/Parametreleri”. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 4/1 (June 1, 2015): 55-58. https://doi.org/10.1007/s10971-010-2258-x.
JAMA
1.Benhaliliba M, Ocak Y, Mokhtari H, Benouis C, Aida M. Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. DUFED. 2015;4:55–58.
MLA
Benhaliliba, M, et al. “Al/ZnO/P-Si/Al/Schottky/Diyotunun/Güneş/Pili/Uygulamaları/İçin//Mikroelektronik/Parametreleri”. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol. 4, no. 1, June 2015, pp. 55-58, doi:10.1007/s10971-010-2258-x.
Vancouver
1.M Benhaliliba, Ys Ocak, H Mokhtari, Ce Benouis, Ms Aida. Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. DUFED. 2015 Jun. 1;4(1):55-8. doi:10.1007/s10971-010-2258-x.