ISISAL BUHARLAŞTIRMA TEKNİĞİ İLE ÜRETİLMİŞ CdIn2Te4/CdS İNCE FİLM GÜNEŞ PİLLERİNDE TAVLAMANIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNE ETKİSİ

Year 2018, Volume: 7 Issue: 1, 11 - 15, 28.06.2018

İbrahim Kırbaş , Rasim Karabacak , Koray Yılmaz , Duygu Takanoğlu

Abstract

Bu çalışmada ısısal buharlaştırma tekniği ile biriktirilmiş CdIn₂Te₄/CdS ince film
güneş pillerinin elektriksel özelliklerine tavlamanın etkisi incelendi. Isısal buharlaştırma tekniği kullanılarak üretilen ince filmler için alttaş malzemesi olarak
ITO kaplı cam malzeme seçildi. İlk olarak p-CdIn₂Te₄
katmanı oluşturuldu. Daha sonra azot ortamında 400 ^oC de 1 saat
tavlama yapıldı. Tavlanmış olan ince filmler üzerine n-CdS katmanı ve İndiyum
kontaklar alınarak ince film güneş pilli yapısı oluşturuldu. Elde edilen güneş
pillerinin elektriksel analizleri yapıldı. Elektriksel özellikler
incelendiğinde güneş pili yapısı oluştuğu ve tavlanmış güneş pillerinin ideal
diyot karakteristiği gösterdiği belirlenmiştir. 

Keywords

İnce film güneş pili, Isısal buharlaştırma, CdIn2Te4

References

• Referans1 Akman, E. Akın, S. Karanfil, G. Sönmezoğlu, S., (2013). Organik güneş pilleri, Trakya Univ J Sci, 14(1), 1-30.
• Referans2 B. V. Rajendra and D. Kekuda, (2012). Flexible cadmium telluride/cadmium sulphide thin film solar cells on mica substrate, J Mater Sci: Mater Electron, 23, 1805-1808.
• Referans3 Chavez, H., Jordan, M., McClure, J.C, Cush, G. and Singh, V.P., (1997). Physical and electrical characterization of CdS films deposited by vacuum evaporation,solution growth and spray pyrolysis, Journal of Materials Science: Materials Electronics, 8, 151-154.
• Referans4 Galloway, S.A., Edwards, P.R. and Durose, K., (1999). Characterization of thin film CdS/CdTe solar cells using electron and optical beam induced current, Solar Energy Materials&Solar Cells, 57, 61-74.
• Referans5 K. Jain, R.K. Sharma, S. Kohli, K.N. Sood, A.C. Rastogi, (2003). Electrochemical deposition and characterization of cadmium indium telluride thin films for photovoltaic application, Current Applied Physics, 3, 251-256.
• Referans6 Gölcür, D.,(2012). CdInTe ince filmlerinin elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi, Yüksek Lisans Tezi, Pamukkale Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı.
• Referans7 Sönmezoğlu, S. Koç, M. Akın, S., (2012). İnce film üretim teknikleri, Erciyes Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 28(5), 389-401.
• Referans8 Yılmaz, K. and Gölcür, D., (2014). Investigations on structural, electrical and optical Properties of polycrystalline CdInTe thin films grown by thermal evaporation, SDU Journal of Science (E-Journal), 9, 150-162.
• Referans9 Singsa-ngah, M., et al., (2015). Undoped and Manganese2+-doped polycrystalline Cd1−xInxTe sensitizer for liquid-junction solar cell devices, Journal of Colloid and Interface Science, 451, 189-197.
• Referans10 Mishra, S. and B. Ganguli, (2016). Electronic and optical properties of defect CdIn2Te4 chalcopyrite semiconductor: A first principle approach, Materials Chemistry and Physics, 173, 429-437.
• Referans11 Quintero, M., et al., (1996). Temperature variation of lattice parameter and optical energy gap values of the compounds CdIn2Te4 and MnIn2Te4, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 57(3), 271-276.
• Referans12 Korur, E., (1990). Güneş enerjisi, Bilim ve Teknik Dergisi, Tübitak, Cilt 23, Sayı 268.