GaTe ikili yarıiletken bileşikleri, modifiye edilmiş Bridgman-Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen kristallerin yapısal, morfolojik, topolojik ve optiksel karakterizasyonları sırasıyla XRD, SEM, EDX, AFM ve soğurma ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. XRD analizleri sonucunda, GaTe ikili kristallerinin monoklinik yapıya sahip oldukları belirlenmiştir. Tavlama sıcaklığının yapı üzerindeki etkisini belirlemek amacıyla büyütülen kristaller çeşitli sıcaklık değerlerinde belirlenen süreler boyunca azot gazı ortamında tavlanmış ve tavlamadan hemen sonra XRD analizleri yapılmıştır. GaTe yarıiletkeni için EDX tekniği ile elde edilen atomik ağırlık değerleriyle büyütme esnasında hesaplanıp uygulanan değerleri birbirleriyle uyum içinde olduğu belirlenmiştir. Bileşiğin soğurma ölçümleri 10-320 K aralığında ve 10 K’lik adımlarla alınmış GaTe ikili bileşiklerine ait sıcaklığın bir fonksiyonu olarak soğurma katsayısı ve yasak enerji aralıkları hesaplanmıştır.
GaTe binary semiconductor was grown by the modified Bridgman-Stockbarger technique. Absorption measurements, XRD, SEM, EDX and AFM were performed for structural, morphological and optical characterizations of the semiconductor. As a result of the XRD analyses, it was observed that GaTe binary semiconductor had monoclinic structure. To define the effect of annealing temperature on structure, the grown crystal annealed in a nitrogen gas environment at different temperatures in determined periods, after annealing XRD analyses were done. For GaTe semiconductor, atomic weight values that were obtained by the EDX technique and the values that were calculated during growth and applied agreed with each other. The absorption measurements of GaTe binary semiconductor was in the range of 10-320 K and these measures were performed for each 10 K steps. Energy band width and absorption coefficients were determined as a function of temperatures variable for GaTe single semiconductors.
Primary Language | English |
---|---|
Subjects | Condensed Matter Physics, Composite and Hybrid Materials, Nanotechnology |
Journal Section | Research Articles |
Authors | |
Publication Date | July 3, 2021 |
Published in Issue | Year 2021 Volume: 1 Issue: 1 |