Излучательная Аннигилляция Электронных Возбуждений В Кристаллах RbI
Abstract
Проведены исследования низкотемпературной люминесценции различных по происхождению кристаллов RbI. Рекомбинационное создание экситонов при 4,2 К приводит к их излучательному распаду с появлением полос собственных свечений 3,92 и 2,26 эВ, имеющих σ- и π- природу. Создание высокоподвижных свободных экситонов в RbI недостаточно высокой чистоты приводит к появлению характерных полос излучения 3,86 и 3,15 эВ, имеющих примесный характер.
References
- 1. И. Л. Куусманн, Г. Г. Лийдья, Ч. Б. Лущик, Труды ИФ НАН Эстонии, т. 46. (1976) 5.
- 2. R. B. Murray, F.J. Keller, Phys. Rev. v. 153, №3 (1967) 993.
- 3. Р. А. Кинк, Г. Г. Лийдья, Ч. Б. Лущик, Т.А. Соовик, Изв. АН СССР, сер. физ., т.31, № 12 (19967) 1982.
- 4. D. Pooley, W, A. Runciman, J. Phyz. C: Solid State Phys., v 27, №12 (1966) 1815.
- 5. H. Nishimura, Semicond. and Insulators, v.5, №3/4 (1983)263.
- 6. К. О. Осмоналиев, Б. Арапов, Люминесценция электронных возбуждений и их распад с образованием дефектов в ионных кристаллах. (Бишкек, “Илим”, 1999) стр. 54.
- 7. Е. А. Васильченко, К. О. Осмоналиев, Н. А. Яансон Труды ИФ НАН Эстонии, т. 57 (1985) стр. 57.
- 8. Г. Г. Лийдья, Т.А. Соовик, Труды ИФ НАН Эстонии, т. 52 (1981) 53.
- 9. M. Hirai. Rev. Solid State Sci., v.4, № 2/3 (1990) 43.
- 10. Е. А. Васильченко. Ч. Б. Лущик, К.О. Осмоналиев, ФТТ т. 28, №7 (1986) 1991.