Antisimetrik AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs Kuantum Kuyusunda Hidrostatik Basıncın Etkisi

Year 2016, Volume: 28 Issue: 3, 112 - 117, 30.12.2016

Sema Minez Serpil Sucu Hasan Akbaş

https://doi.org/10.7240/mufbed.45891

Abstract

Bu çalışmada sıcaklık ve hidrostatik basınç etkisi altında simetrik AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs ve antisimetrik AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa

1-xRAs kuantum kuyularında engel yükseklik oranlarının etkileri, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel yöntem kullanılarak çalışıldı.

Taban durum yabancı atom enerjileri, yabancı atom enerjisisnin dönüm noktaları ve taban durum normalize edilmiş bağlanma enerjileri

hesaplandı. Sıcaklık, hidrostatik basınç, farklı engel yükseklikleri ve yabancı atom konumunun, taban durum yabancı atom enerjisini ve

yabancı atom enerjisinin dönüm noktalarını önemli ölçüde değiştirdiği gösterildi.

Keywords

Dönüm noktası, Hidrostatik basınç, Yabancı atom enerjisi, Bağlanma enerjisi

The hydrostatic pressure effects in the asymmetric AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs quantum well

Abstract

In this work, we studied the effects of barrier height ratioVL/VR on simetric AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs and asymmetric AlxLGa1-xLAs/

GaAs/AlxRGa1-xRAs quantum wells under the presence of hydrostatic pressure by using variational method within the effective mass approximation.

We calculated ground state impurity energies and impurity energy turning points as functions of the impurity position. We observed

that the ground state impurity energies and impurity energy turning points depends strongly on hydrostatic pressure, different barrier

heights and impurity positions.

Keywords

Turning point, hydrostatic pressure, impurity energy, binding energies

References

• E., H. Kasapoğlu, I. Sari ve Sökmen,(2006), shollow donors in the triple-graded quantum well under the hydrosattic pressure and external fields, physica B, pp. 280-283.
• H. Akbas, C. Dane, I. Erdogan ve O. Akankan, 2014. Hydrogenic donor in asymmetric AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1- xRAs quantum wells, Physica E, cilt 60, pp. 196-199 .
• C. Dane, H. Akbas, A. Guleroglu ve S. Minez, 2011, The hydrostatic pressure and electric field effects on the normalized binding energy of hydrogenic impurity in a GaAs/AlAs spherical quantum dot, Physica E, cilt 44, no. 1, pp. 186-189.
• H. D. Karki, S. Elagöz ve P. Baser, 2011, The high hydrostatic pressure effect on shallow donor binding energies in Ga- As-(Ga, Al)As cylindrical quantum well wires at selected temperatures, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, cilt 406, no. 11, pp. 2116-2120.
• H. Akbas, I. Erdogan ve O. Akankan, 2011, Hydrostatic pressure effects on impurity states in GaAs/AlAs quantum wells, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, cilt 50, no. 1, pp. 80-89.