Year 2018, Volume , Issue 14, Pages 123 - 126 2018-12-31

InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi
Mosaic Structure Analysis of InGaN / GaN LED Structures

İlknur Kars Durukan [1] , Mustafa Kemal Öztürk [2] , Süleyman Özçelik [3] , Ekmel Özbay [4]

37 198

Bu çalışmada, MOCVD yöntemi ile üretilen InGaN/GaN ışık yayan diyot (LED) yapılarının mozaik yapıları analiz edildi. Safir alttaş üzerine biriktirilen,  farklı In kompozisyonuna sahip InGaN/GaN bariyer tabakasının mozaik yapı üzerine etkisi Yüksek Çözünürlü X Işını Kırınımı (HR-XRD) yöntemi ile karakterize edildi. Amacımız mozaik yapı hesaplarından yararlanarak LED yapısının kalitesini arttırmaktır. Günümüzde LED' lerin geniş bir kullanım alanına sahip olmasından dolayı sektörde büyük bir pazar payı bulunmaktadır. Özellikle InGaN gibi, GaN bazlı LED' ler arsenik bazlı LED' lerden daha yüksek güç, sıcaklık ve frekans aralıklarında çalışabilirler. Ancak GaN tabanlı LED' ler hala yüksek kusur yoğunluklarına sahiptir. Bu nedenle çalışmalarımızda mozaik yapı analizi yapıldı. Hesaplamalarımızda Vegard ve William Hall yarı deneysel metotları kullanıldı. Kompozisyonun, kenar ve vida türü kusurların azalmasına yol açan önemli bir faktör olduğunu söyleyebiliriz.

In this study, Mosaic structures of InGaN / GaN light emitting diode (LED) structures produced by MOCVD method were analyzed. The effect of the InGaN / GaN barrier layer deposited on the sapphire substrate on the mosaic structure characterized by high resolution X-ray diffraction (HR-XRD) method. Our aim is to increase the quality of the LED structure by taking advantage of the mosaic structure calculations. Today, LEDs have a large market in the industry for the reason that they have a wide use. In particular, GaN-based LEDs, such as InGaN, operate at higher power, temperature and frequency ranges than arsenic-based LEDs. But GaN-based LEDs still have high defect densities. For this reason, we performed mosaic structure analysis in our work. In our calculations, Vegard and William's Hall quasi-experimental methods were used. We can say that the composition is an important factor leading to the reduction of edge and screw type defects.

  • [1] Cho, H.K., Lee, J.Y., Yang, G.M., Kim, C.S., 2001. Appl. Phys. Lett. 79 (2), 215–217.
  • [2] Colby, R., Liang, Z., Wildeson, I.H., Ewoldt, D.A., Sands, T.D., García, R.E., Stach, E.A., 2010. Nano, 10 (5), 1568–1573.
  • [3] Chang, S.J., Lin, Y.C., Su, Y.K., Chang, C.S., Wen, T.C., Shei, S.C., Ke, J.C., Kuo, C.W., Chen, S.C., Liu, C.H., 2003. Solid-State Electron., 47 (9), 1539–1542.
  • [4] S. Hu, S. Liu, Z. Zhang, H. Yan, Z. Gan, H. Fang, 2015. J. Cryst. Growth, 415, 72–77.
  • [5]. Özturk, M. K., Arslan, E., Kars, İ, Özcelik, S., Özbay, E., 2013. Mater. Sci. in Semi.Pro., 16, 83–88.
  • [6] Arslan, E., Ozturk, M.K., Ozcelik, S., Özbay, E., 2009. Current Applied Physics, 9 (2), 472–477.
  • [7] Huang, L., Liu, F., Zhu, J., Kamaladasa, R., Preble, E.A., Paskova, T., Evans, K., Porter, L., Picard, Y.N., Davis, R.F., 2012. J. Cryst. Growth, 347 (1), 88–94.
  • [8] Hu, Y.-L., Krämer, S., Fini, P.T., Speck, J.S., 2012. Appl. Phys. Lett., 101 (11), 112102–112105.
  • [9] Lobanova, A.V., Kolesnikova, A.L., Romanov, A.E., Karpov, S.Y., Rudinsky, M.E., Yakovlev, E.V., 2013. Appl. Phys. Lett., 103, 15.
  • [10] Kars Durukan, İ., Öztürk, M.K., Çörekçi, S., Tamer, M., Baş, Y., Özçelik, S. and Özbay, E., 2017. J. Nanoelectron. Optoelectron. 12, 109-117.
  • [11] Kars Durukan, İ., Öztürk, M, K., Özçelik, S., and Özbay, E., 2017. Politeknik Dergisi, 20(3), 531-536.
  • [12] Leszczynski, M., Teisseyre, H., Suski, T., Grzegory, I.,Bockowski, M., Jun, J., Pakula, K., Baranowski, J.M., Foxon, C.T. and Cheng, T.S., 1996. Applied Physics Letters, 69,73.
  • [13] Cho, S. I., Chang, K. and Kwon, M. S., 2007. Journal of Materials Science, 42, 3569–3572.
  • [14] Harutyunyan, V.S., Aivazyan, A.P., Weber, E.R., Kim, Y., Park, Y., Subramanya S.G., 2001. Journal of Physics D: Applied Physics, 34, A35.
  • [15] Kisielowski, C., Kruger, J., Ruvimov, S., Suski, T., Ager, J. W., Jones, E., Liliental-Weber, Z., Rubin, M., Weber, E. R., Bremser, M.D. and Davis, R. F., 1996. Physical review B, 54, 17745.
  • [16] Kisielowski, C., 1999. Semiconductors and Semimetals, 57, 275-317.
  • [17] Perry, W. G., Zheleva, T., Bremser, M. D., Davis, R. F., Shan, W. and Song, J. J., 1997. Journal of Electronic Materials, 26, 224.
  • [18] Skromme, B. J., Zhao, H., Wang, D., Kong, H. S., Leonard, M. T., Bulman, G. E. and Molnar, R. J., 1997. Applied Physics Letters, 71, 829.
  • [19] Cetin, S. S., Öztürk, M. K., Özcelik, S., Özbay, E., 2012. Crystal Research and Technology, 47, 824– 833.
  • [20] Polian, A., Grimsditch, M. and Grzegory, I., 1996. Journal of Applied Physics, 79, 3343.
  • [21] Kars Durukan, I., Akpinar, Ö., Avar, C., Gultekin, A., Öztürk, M. K., Özçelik, S., and Özbay, E., 2018. J. Nanoelectron. Optoelectron., 13, 331–334.
  • [22] Metzger, T., Höppler, R., Born, E., Ambacher, O., Stutzmann, M., Stömmer, R., Schuster, M., Göbel, H., Christiansen, S., Albrecht, M. and Strunk, H.P., 1998. Philosophical Magazine a-Physics of Condensed Matter Structure Defects, 77,1013.
  • [23] Williamson, G. K. and Hall, W. H., 1953. Acta Metallurgica, 1, 22.
Primary Language tr
Subjects Engineering
Journal Section Makaleler
Authors

Orcid: 0000-0001-5697-0530
Author: İlknur Kars Durukan (Primary Author)
Institution: GAZİ ÜNİVERSİTESİ, FEN FAKÜLTESİ
Country: Turkey


Author: Mustafa Kemal Öztürk
Institution: GAZİ ÜNİVERSİTESİ, FEN FAKÜLTESİ

Author: Süleyman Özçelik
Institution: GAZİ ÜNİVERSİTESİ, FEN FAKÜLTESİ

Author: Ekmel Özbay
Institution: İHSAN DOĞRAMACI BİLKENT ÜNİVERSİTESİ

Dates

Publication Date: December 31, 2018

Bibtex @research article { ejosat429153, journal = {Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi}, issn = {}, eissn = {2148-2683}, address = {Osman SAĞDIÇ}, year = {2018}, volume = {}, pages = {123 - 126}, doi = {10.31590/ejosat.429153}, title = {InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi}, key = {cite}, author = {Kars Durukan, İlknur and Öztürk, Mustafa Kemal and Özçelik, Süleyman and Özbay, Ekmel} }
APA Kars Durukan, İ , Öztürk, M , Özçelik, S , Özbay, E . (2018). InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi. Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi, (14), 123-126. DOI: 10.31590/ejosat.429153
MLA Kars Durukan, İ , Öztürk, M , Özçelik, S , Özbay, E . "InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi". Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi (2018): 123-126 <http://dergipark.org.tr/ejosat/issue/40225/429153>
Chicago Kars Durukan, İ , Öztürk, M , Özçelik, S , Özbay, E . "InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi". Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi (2018): 123-126
RIS TY - JOUR T1 - InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi AU - İlknur Kars Durukan , Mustafa Kemal Öztürk , Süleyman Özçelik , Ekmel Özbay Y1 - 2018 PY - 2018 N1 - doi: 10.31590/ejosat.429153 DO - 10.31590/ejosat.429153 T2 - Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi JF - Journal JO - JOR SP - 123 EP - 126 VL - IS - 14 SN - -2148-2683 M3 - doi: 10.31590/ejosat.429153 UR - https://doi.org/10.31590/ejosat.429153 Y2 - 2018 ER -
EndNote %0 European Journal of Science and Technology InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi %A İlknur Kars Durukan , Mustafa Kemal Öztürk , Süleyman Özçelik , Ekmel Özbay %T InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi %D 2018 %J Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi %P -2148-2683 %V %N 14 %R doi: 10.31590/ejosat.429153 %U 10.31590/ejosat.429153
ISNAD Kars Durukan, İlknur , Öztürk, Mustafa Kemal , Özçelik, Süleyman , Özbay, Ekmel . "InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi". Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi / 14 (December 2019): 123-126. https://doi.org/10.31590/ejosat.429153
AMA Kars Durukan İ , Öztürk M , Özçelik S , Özbay E . InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi. Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi. 2018; (14): 123-126.
Vancouver Kars Durukan İ , Öztürk M , Özçelik S , Özbay E . InGaN/GaN LED Yapıların Mozaik Yapı Analizi. Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi. 2018; (14): 126-123.