Year 2020, Volume 20 , Issue 4, Pages 558 - 564 2020-09-25

Characterization of GaAs/GaAlAs Heterostructures Grown on GaAs Substrate using High Resolution X-ray Diffraction Method
GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu

Habibe SAYRAÇ [1] , Muhammed SAYRAÇ [2] , Sezai ELAGÖZ [3]


Characterization of nanostructures using X-ray diffraction (XRD) method gives information on the composition, the lattice strain, and heteroepitaxial layers of the structures. These information are useful for fabrication process of optoelectronic devices. In this paper, we give fundamental description to the commonly used material, GaAlAs. In addition, the importance of X ray diffraction method for characterization of the materials provides crucial information for the growth and development process of the materials. Structural characterization of epitaxial growth GaAs/GaAlAs heterostructures are analyzed using the X- ray diffraction (XRD) method. Rigaku Global Fit simulation program is performed to compare the experimental results, and the simulation and the experimental results agree with each other.
Nano yapıların X- ışını kırınımı (XRD) yöntemi kullanılarak karakterizasyonu, bu yapıların bileşimi, örgü zorlanması ve heteroepitaksiyel katmanları hakkında bilgi verir. Bu bilgiler optoelektronik cihazların üretiminde önemli rol oynamaktadır. Bu makalede, yaygın olarak kullanılan GaAlAs malzemesi hakkında genel bilgilerden bahsedilmektedir. Ek olarak, X- ışını kırınım yönteminin malzemelerin karakterizasyonu için önemi, malzemelerin büyütme ve yapının oluşum süreci hakkında önemli bilgiler sağlamasıdır. Epitaksiyel olarak büyütülmüş GaAs/GaAlAs heteroyapılarının yapısal karakterizasyonu X- ışını kırınım yöntemi kullanılarak analiz edilmiştir. Deneysel sonuçları karşılaştırmak için Rigaku Global Fit simülasyon programı kullanıldı, simülasyon ile deneysel sonuçların yüksek oranda uyumlu olduğu görüldü.
  • Ashcroft N. W. and Mermin N. D., 1976. Solid State Physics. Saunders College Publishing, Orlando.
  • Auvray P., Baudet M. and Regreny A., 1987. X‐ray diffraction study of intentionally disordered GaAlAs‐GaAs superlattices. Journal of Applied Physics, 62, 456-460.
  • Börnstein L., 1999. Semiconductors II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds. Springer Materials, 41B.
  • Hayashi M. and Marcon R., 2000. High Resolution X-ray diffraction to characterize semiconductor materials. Physicae, 1, 21-27.
  • Horikoshi Y., Kawashima M. and Yamaguchi H., 1986. Low-temperature growth of GaAs and AlAs-GaAs quantum-well layers by modified molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics, 25, L868-L870.
  • Kato T., Susawa H., Hirotani M., Saka T., Ohashi Y., Shichi E. and Shibata S., 1991. GaAs/GaAlAs surface emitting IR LED with Bragg reflector grown by MOCVD. Journal of Crystal Growth, 107, 832-835.
  • Kish F. A., Caracci S. J., N. H. Jr., Dallesasse J. M., Höfler G. E., Burnham R. D. and Smith S. C., 1991. Low‐threshold disorder‐defined native‐oxide delineated buried‐heterostructure AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well lasers. Applied Physics Letters, 58, 1765-1767.
  • Liu C. Y., Yuan S., Dong J. R. and Chua S. J., 2004. Temperature dependence of photoluminescence intensity from AlGaInP/GaInP multi-quantum well laser structures. Journal of Crystal Growth, 268, 426-431.
  • Liu X. Q., Fetzer C. M., Rehder E., Cotal H., Mesropian S., Law D. and King R. R., 2012. Organometallic vapor phase epitaxy growth of upright metamorphic multijunction solar cells. Journal of Crystal Growth, 352, 186-189.
  • Neamen D. A., 2003. Semiconductor Physics and Devices. Avenue of the Americas.
  • Pahuja O. P. Dr., 2005. Solid State Physics. SP/Laxmi Publications, New Delhi.
  • Quinn J. J. and Yi K.-S., 2009. Solid State Physics Principles and Modern Applications. Springer.
  • Schubert E. F., 2006. Light-Emitting Diodes. Cambridge University Press, Edingburgh Building.
  • Thompson A. G., 1997. MOCVD technology for semiconductors. Materials Letters, 30, 255-263.
Primary Language tr
Subjects Engineering
Journal Section Articles
Authors

Orcid: 0000-0002-4566-7736
Author: Habibe SAYRAÇ (Primary Author)
Institution: Gazi Üniversitesi
Country: Turkey


Orcid: 0000-0003-4373-6897
Author: Muhammed SAYRAÇ
Institution: ÇANKIRI KARATEKİN ÜNİVERSİTESİ
Country: Turkey


Orcid: 0000-0002-3600-8640
Author: Sezai ELAGÖZ
Institution: ASELSAN-Microelectronics, Guidance and Electro-Optics, Ankara, Turkey
Country: Turkey


Dates

Application Date : March 23, 2020
Publication Date : September 25, 2020

Bibtex @research article { akufemubid707628, journal = {Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi}, issn = {}, eissn = {2149-3367}, address = {}, publisher = {Afyon Kocatepe University}, year = {2020}, volume = {20}, pages = {558 - 564}, doi = {}, title = {GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu}, key = {cite}, author = {Sayraç, Habibe and Sayraç, Muhammed and Elagöz, Sezai} }
APA Sayraç, H , Sayraç, M , Elagöz, S . (2020). GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu . Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi , 20 (4) , 558-564 . Retrieved from https://dergipark.org.tr/en/pub/akufemubid/issue/56836/707628
MLA Sayraç, H , Sayraç, M , Elagöz, S . "GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu" . Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 20 (2020 ): 558-564 <https://dergipark.org.tr/en/pub/akufemubid/issue/56836/707628>
Chicago Sayraç, H , Sayraç, M , Elagöz, S . "GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu". Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 20 (2020 ): 558-564
RIS TY - JOUR T1 - GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu AU - Habibe Sayraç , Muhammed Sayraç , Sezai Elagöz Y1 - 2020 PY - 2020 N1 - DO - T2 - Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi JF - Journal JO - JOR SP - 558 EP - 564 VL - 20 IS - 4 SN - -2149-3367 M3 - UR - Y2 - 2020 ER -
EndNote %0 Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu %A Habibe Sayraç , Muhammed Sayraç , Sezai Elagöz %T GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu %D 2020 %J Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi %P -2149-3367 %V 20 %N 4 %R %U
ISNAD Sayraç, Habibe , Sayraç, Muhammed , Elagöz, Sezai . "GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu". Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 20 / 4 (September 2020): 558-564 .
AMA Sayraç H , Sayraç M , Elagöz S . GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi. 2020; 20(4): 558-564.
Vancouver Sayraç H , Sayraç M , Elagöz S . GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi. 2020; 20(4): 558-564.