Research Article

Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri

Volume: 21 Number: 2 June 28, 2019
TR EN

Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri

Abstract

Bu çalışmada GaN tabanlı UV algılayıcı GUVA S12SD Schottky diyotun sıcaklık bağımlı akım – voltaj karakteristikleri seri direnç etkileri yönünden incelenmiştir.  Bu amaçla FPGA tabanlı, basit ve düşük maliyetli bir ölçüm sistemi hazırlanarak, başarıyla kullanılmıştır.  Sonuçlar, aygıtın akım iletim mekanizmasının termiyonik yayılımla açıklanabileceğini göstermektedir.  Seri direnç hesapları için iki farklı yöntem kullanılmış ve birbiri ile büyük uyuma sahip sonuçlar elde edilmiştir.  İdealite faktörü ve seri direncin sıcaklık bağımlılığından, ara yüzeydeki durumların ve buradaki yük taşıyıcılarının aygıt karakteristikleri üzerinde etkin olduğu belirlenmiştir.

Keywords

References

  1. Patel, M., Kim, H.S., Park, H.H. ve Kim J., Active adoption of void formation in metal-oxide for all transparent super-performing photodetectors, Scientific Reports, 6(1), 25461, (2016).
  2. Muñoz, E., (Al,In,Ga)N-Based photodetectors. some materials issues, Physica Status Solidi (B), 244(8), 2859-77, (2007).
  3. GUVA-S12SD SMD type UV sensor data sheet, Genicom Co., Korea, (2010).
  4. Brmarcum, Semiconductor curve trace with the analog discovery 2 http://www.instructables.com/id/Semiconductor-Curve-Tracer-With-the-Analog Discove/ (erişim tarihi: 03.09.2018)
  5. Sze, S.M., Physics of Semiconductor Devices, Second Edition, John Wiley & Sons, New York, (1981).
  6. Rhoderick E.H. ve Williams, R.H., Metal – Semiconductor Contacts, Second Edition, Clarendon Press, Oxford, (1988).
  7. Aydın, M.E., Yakuphanoğlu, F., Eom, J-H. ve Hwang D-H., Electrical characterization of Al/MEH-PPV/p-Si Schottky diode by current–voltage and capacitance–voltage methods, Physica B, 387, 239 – 244, (2007).
  8. Kavasoglu, N., Tozlu, C., Pakma, O., Kavasoglu, A.S., Ozden, S., Metin, B., Birgi, O. ve Oktik, S., Room-temperature interface state analysis of Au/Poly(4-vinyl phenol)/p-Si structure, Synthetic Metals, 159 (17-18), 1880-1884, (2009).

Details

Primary Language

Turkish

Subjects

-

Journal Section

Research Article

Publication Date

June 28, 2019

Submission Date

August 12, 2018

Acceptance Date

March 22, 2019

Published in Issue

Year 2019 Volume: 21 Number: 2

APA
Özden, Ş. (2019). Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 21(2), 531-538. https://doi.org/10.25092/baunfbed.624406
AMA
1.Özden Ş. Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi. 2019;21(2):531-538. doi:10.25092/baunfbed.624406
Chicago
Özden, Şadan. 2019. “Schottky Diyot Tabanlı UV Detektörlerde Seri Direnç Etkileri”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 21 (2): 531-38. https://doi.org/10.25092/baunfbed.624406.
EndNote
Özden Ş (June 1, 2019) Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 21 2 531–538.
IEEE
[1]Ş. Özden, “Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri”, Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol. 21, no. 2, pp. 531–538, June 2019, doi: 10.25092/baunfbed.624406.
ISNAD
Özden, Şadan. “Schottky Diyot Tabanlı UV Detektörlerde Seri Direnç Etkileri”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 21/2 (June 1, 2019): 531-538. https://doi.org/10.25092/baunfbed.624406.
JAMA
1.Özden Ş. Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi. 2019;21:531–538.
MLA
Özden, Şadan. “Schottky Diyot Tabanlı UV Detektörlerde Seri Direnç Etkileri”. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol. 21, no. 2, June 2019, pp. 531-8, doi:10.25092/baunfbed.624406.
Vancouver
1.Şadan Özden. Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri. Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi. 2019 Jun. 1;21(2):531-8. doi:10.25092/baunfbed.624406