In this study, 1.167 mg/ml was prepared with Boric acid in deionized water. Using this solution, Boron coating was made on a molybdenum foil by electrochemical coating method and this coating was confirmed with SEM images. Then, the Si wafer made of p-type ohmic contact with a carrier density of 1014 to 1018 (1,0,0) orientation was divided into two and this solution was coated on one of them by electrochemical method.
Bap-12-261-2015
Bu çalışmada, hazırlanan 1,167 mg/ml deiyonize su ile Borik asit ile hazırlandı. Bu çözelti kullanılarak elektrokimyasal kaplama yöntemiyle molibden bir folyo üzerine Bor kaplaması yapıldı ve bu kaplama sem görüntüleri ile teyit edildi. Sonra 1014 ila 1018 taşıyıcı yoğunluğuna (1,0,0) yönelimine sahip p tipi omik kontağı yapılmış Silisyum wafer ikiye bölünerek birinin üzerine bu çözelti elektrokimyasal yöntemle kaplandı.
Bingöl Üniversitesi
Bap-12-261-2015
| Primary Language | English |
|---|---|
| Subjects | Photovoltaic Devices (Solar Cells), Semiconductors |
| Journal Section | Research Article |
| Authors | |
| Project Number | Bap-12-261-2015 |
| Submission Date | November 17, 2024 |
| Acceptance Date | November 24, 2024 |
| Publication Date | December 18, 2024 |
| IZ | https://izlik.org/JA54PX85LZ |
| Published in Issue | Year 2024 Volume: 5 Issue: 2 |
This journal is prepared and published by the Bingöl University Technical Sciences journal team.