In this study, 1.167 mg/ml was prepared with Boric acid in deionized water. Using this solution, Boron coating was made on a molybdenum foil by electrochemical coating method and this coating was confirmed with SEM images. Then, the Si wafer made of p-type ohmic contact with a carrier density of 1014 to 1018 (1,0,0) orientation was divided into two and this solution was coated on one of them by electrochemical method.
Solar Cell Sputter Methot Elektrochemical Coating Methot Boron p-Type Silicon
Bap-12-261-2015
Bu çalışmada, hazırlanan 1,167 mg/ml deiyonize su ile Borik asit ile hazırlandı. Bu çözelti kullanılarak elektrokimyasal kaplama yöntemiyle molibden bir folyo üzerine Bor kaplaması yapıldı ve bu kaplama sem görüntüleri ile teyit edildi. Sonra 1014 ila 1018 taşıyıcı yoğunluğuna (1,0,0) yönelimine sahip p tipi omik kontağı yapılmış Silisyum wafer ikiye bölünerek birinin üzerine bu çözelti elektrokimyasal yöntemle kaplandı.
Güneş Pilleri Sputter Yöntemi Elektrokimyasal Kaplama Yöntemi Bor p-Tipi Silisyum
Bingöl Üniversitesi
Bap-12-261-2015
| Birincil Dil | İngilizce |
|---|---|
| Konular | Fotovoltaik Cihazlar (Güneş Pilleri), Yarı İletkenler |
| Bölüm | Araştırma Makalesi |
| Yazarlar | |
| Proje Numarası | Bap-12-261-2015 |
| Gönderilme Tarihi | 17 Kasım 2024 |
| Kabul Tarihi | 24 Kasım 2024 |
| Yayımlanma Tarihi | 18 Aralık 2024 |
| IZ | https://izlik.org/JA54PX85LZ |
| Yayımlandığı Sayı | Yıl 2024 Cilt: 5 Sayı: 2 |
Bu dergi; Bingöl Üniversitesi Teknik Bilimler dergi ekibi tarafından hazırlanmakta ve yayınlanmaktadır.