Research Article

Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi

Volume: 2 Number: 1 September 5, 2014
Engin Yağlıoğlu , Özge Tüzün Özmen
EN TR

Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi

Abstract

Bu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyeli (VD), donör taşıyıcı yoğunluğu (ND), Fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) maksimum elektrik alan (Em), potansiyel bariyer yüksekliği (ΦB), Schottky engel alçalması (ΔΦB) gibi elektriksel parametreler frekansa bağlı C-V ölçümlerinin analizinden elde edilmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, C-V analizinden elde edilen Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun temel elektriksel parametreleri, Au/n-Si (MY) Schottky bariyer diyotunkiler ile kıyaslandığında P3HT:PCBM arayüzey organik tabaka sayesinde geliştirilmiştir.

Keywords

Schottky bariyer diyot, Organik yarıiletken, Kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri

References

  1. No references found
APA
Yağlıoğlu, E., & Özmen, Ö. T. (2014). Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. Duzce University Journal of Science and Technology, 2(1), 227-234. https://izlik.org/JA59DZ34SW
AMA
1.Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DUBİTED. 2014;2(1):227-234. https://izlik.org/JA59DZ34SW
Chicago
Yağlıoğlu, Engin, and Özge Tüzün Özmen. 2014. “Au/P3HT:PCBM/N-Si/(MPY)/Schottky/Bariyer/Diyotun/Bazı/Elektriksel/Parametrelerinin/Frekansa/Bağlı/Kapasitans-Voltaj/(C-V)/Karakteristikleri/Ile/İncelenmesi”. Duzce University Journal of Science and Technology 2 (1): 227-34. https://izlik.org/JA59DZ34SW.
EndNote
Yağlıoğlu E, Özmen ÖT (March 1, 2014) Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. Duzce University Journal of Science and Technology 2 1 227–234.
IEEE
[1]E. Yağlıoğlu and Ö. T. Özmen, “Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi”, DUBİTED, vol. 2, no. 1, pp. 227–234, Mar. 2014, [Online]. Available: https://izlik.org/JA59DZ34SW
ISNAD
Yağlıoğlu, Engin - Özmen, Özge Tüzün. “Au/P3HT:PCBM/N-Si/(MPY)/Schottky/Bariyer/Diyotun/Bazı/Elektriksel/Parametrelerinin/Frekansa/Bağlı/Kapasitans-Voltaj/(C-V)/Karakteristikleri/Ile/İncelenmesi”. Duzce University Journal of Science and Technology 2/1 (March 1, 2014): 227-234. https://izlik.org/JA59DZ34SW.
JAMA
1.Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DUBİTED. 2014;2:227–234.
MLA
Yağlıoğlu, Engin, and Özge Tüzün Özmen. “Au/P3HT:PCBM/N-Si/(MPY)/Schottky/Bariyer/Diyotun/Bazı/Elektriksel/Parametrelerinin/Frekansa/Bağlı/Kapasitans-Voltaj/(C-V)/Karakteristikleri/Ile/İncelenmesi”. Duzce University Journal of Science and Technology, vol. 2, no. 1, Mar. 2014, pp. 227-34, https://izlik.org/JA59DZ34SW.
Vancouver
1.Engin Yağlıoğlu, Özge Tüzün Özmen. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DUBİTED [Internet]. 2014 Mar. 1;2(1):227-34. Available from: https://izlik.org/JA59DZ34SW