Abstract
Günümüz teknolojilerindeki hızlı gelişmeler, endüstriyel veya bireysel tüketicilerin mobil cihazlara olan ilgisini arttırmakta ve buna bağlı olarak Doğru Akım (DA) kullanımı da yaygınlaşmaktadır. DA kullanımına olan talebin büyümesi temel yarı iletken güç dönüştürücülerinden biri olan DA-DA dönüştürücülerin önemini de arttırmaktadır. Bu çalışmada yüksek frekanslı (280kHz) darbe genişlik modülasyon kontrollü (PWM) DA-DA senkron yükselten dönüştürücü tasarımı ve uygulaması gerçekleştirilmektedir. Tasarım ve uygulama aşamasında yüksek frekans ile çalışmanın meydana getirmiş olduğu problemler, kontrol katı ve güç katı olmak üzere ayrı ayrı değerlendirilerek, iyileştirme yöntemleri yarı iletken elemanlar ve baskı devre yapısı üzerinde uygulanarak deneysel olarak gözlemlenmiştir.
References
- K. P. Louganski and J. S. Lai, IEEE Trans. Power Electron., 22(1) (2007) 113.
- Jae-Do Park, Zhiyong Ren, Journal of power sources 208 (2012) 322.
- A. P. Dancy, A. P. Chandrakasan, Ultra low power control circuits for PWM converters, 28th Annual IEEE In Power Electronics Specialists Conference, PESC'97 Record., (1997) 21.
- M. H. Rashid, Güç Elektroniği: Yarı iletken elemanlar, Devreler, ve Uygulamaları, 4, Nobel Akademik Yayıncılık, (2015).
- A. P. Dancy, R. Amirtharajah, A. P. Chandrakasan, IEEE Transactions On Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 8(3) (2000) 252.
- M. A. de Rooij, J. T. Strydom, J. D. van Wyk, and P. Beamer, Development of a 1 MHz MOSFET gate-driver for integrated converters, 37th IAS Annual Meeting. Conference, (2002) 2622.
- J. T. Strydom, M. A. de Rooij, and J. D. van Wyk, A comparison of fundamental gate-driver topologies for high frequency applications, In Applied Power Electronics Conference and Exposition Nineteenth Annual IEEE APEC'04, (2004) 1045.
Abstract
Technological improvements and inventions have increased the interest in mobile devices for both personal and industrial usage and therefore uses of direct current systems have been more common. DC-DC converter, which is one of the basic types of semiconductors, has gained more importance due to the demand for DC usage. In this study high frequency (280Khz) pulse width modulation controlled (PWM) synchronous boost converter design and implementation are performed. The problems caused by high frequency during design and implementation processes are evaluated separately as control layer and power layer. Some methods are applied on semiconductor components and printed circuit board structure to solve the problems and the experimental results are observed.
References
- K. P. Louganski and J. S. Lai, IEEE Trans. Power Electron., 22(1) (2007) 113.
- Jae-Do Park, Zhiyong Ren, Journal of power sources 208 (2012) 322.
- A. P. Dancy, A. P. Chandrakasan, Ultra low power control circuits for PWM converters, 28th Annual IEEE In Power Electronics Specialists Conference, PESC'97 Record., (1997) 21.
- M. H. Rashid, Güç Elektroniği: Yarı iletken elemanlar, Devreler, ve Uygulamaları, 4, Nobel Akademik Yayıncılık, (2015).
- A. P. Dancy, R. Amirtharajah, A. P. Chandrakasan, IEEE Transactions On Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 8(3) (2000) 252.
- M. A. de Rooij, J. T. Strydom, J. D. van Wyk, and P. Beamer, Development of a 1 MHz MOSFET gate-driver for integrated converters, 37th IAS Annual Meeting. Conference, (2002) 2622.
- J. T. Strydom, M. A. de Rooij, and J. D. van Wyk, A comparison of fundamental gate-driver topologies for high frequency applications, In Applied Power Electronics Conference and Exposition Nineteenth Annual IEEE APEC'04, (2004) 1045.
Details
| Primary Language | Turkish |
|---|---|
| Subjects | Engineering |
| Journal Section | Articles |
| Authors | |
| Publication Date | March 11, 2016 |
| Published in Issue | Year 2016 Volume: 4 Issue: 2 |