Research Article
BibTex RIS Cite

Investigation of Some Electrical Parameters of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky Barrier Diodes Using Frequency Dependent Capacitance-Voltage (C-V) Characteristics

Year 2014, Volume: 2 Issue: 1, 227 - 234, 05.09.2014

Engin Yağlıoğlu Özge Tüzün Özmen

Abstract

The frequency dependent capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky barrier diode were investigated in the frequency range of 1kHz-1MHz at room temperature. The results show that the values of capacitance increases while the frequency decreases. Furthermore, the electrical parameters, such as diffusion potential (VD), doping concentration of donor atoms (ND), Fermi energy level (EF), depletion layer width (WD), maximum electric field (Em), barrier height (ΦB), Schottky barrier lowering (ΔΦB), were determined from the analysis of frequency dependent C-V measurements. As a result of this study, the basic electrical parameters of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes deduced from C-V analysis are improved due to the P3HT:PCBM interfacial organic layer when compared with those of Au/n-Si (MS) Schottky barrier diodes.

Keywords

Schottky barrier diode Organic semiconductor Capacitance-voltage (C-V) characteristics

Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi

Year 2014, Volume: 2 Issue: 1, 227 - 234, 05.09.2014

Engin Yağlıoğlu Özge Tüzün Özmen

Abstract

Bu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyeli (VD), donör taşıyıcı yoğunluğu (ND), Fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) maksimum elektrik alan (Em), potansiyel bariyer yüksekliği (ΦB), Schottky engel alçalması (ΔΦB) gibi elektriksel parametreler frekansa bağlı C-V ölçümlerinin analizinden elde edilmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, C-V analizinden elde edilen Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun temel elektriksel parametreleri, Au/n-Si (MY) Schottky bariyer diyotunkiler ile kıyaslandığında P3HT:PCBM arayüzey organik tabaka sayesinde geliştirilmiştir.

Keywords

Schottky bariyer diyot Organik yarıiletken Kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri

There are 0 citations in total.

Details

Primary Language Turkish
Subjects Engineering
Journal Section Articles
Authors

Engin Yağlıoğlu This is me

Özge Tüzün Özmen This is me

Publication Date September 5, 2014
Published in Issue Year 2014 Volume: 2 Issue: 1

Cite

APA Yağlıoğlu, E., & Özmen, Ö. T. (2014). Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. Düzce Üniversitesi Bilim Ve Teknoloji Dergisi, 2(1), 227-234.
AMA Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DUBİTED. March 2014;2(1):227-234.
Chicago Yağlıoğlu, Engin, and Özge Tüzün Özmen. “Au/P3HT:PCBM/N-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri Ile İncelenmesi”. Düzce Üniversitesi Bilim Ve Teknoloji Dergisi 2, no. 1 (March 2014): 227-34.
EndNote Yağlıoğlu E, Özmen ÖT (March 1, 2014) Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi 2 1 227–234.
IEEE E. Yağlıoğlu and Ö. T. Özmen, “Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi”, DUBİTED, vol. 2, no. 1, pp. 227–234, 2014.
ISNAD Yağlıoğlu, Engin - Özmen, Özge Tüzün. “Au/P3HT:PCBM/N-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri Ile İncelenmesi”. Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi 2/1 (March 2014), 227-234.
JAMA Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DUBİTED. 2014;2:227–234.
MLA Yağlıoğlu, Engin and Özge Tüzün Özmen. “Au/P3HT:PCBM/N-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri Ile İncelenmesi”. Düzce Üniversitesi Bilim Ve Teknoloji Dergisi, vol. 2, no. 1, 2014, pp. 227-34.
Vancouver Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DUBİTED. 2014;2(1):227-34.