Atmalı DC saçtırma ile hazırlanan Cr/n-Si Schottky engel diyotunun seri direnç ve arayüzey durum yoğunluğu özellikleri
Abstract
Keywords
Atmalı DC saçtırma,Schottky diyot,Seri direnç,Arayüzey durum yoğunluğu,Engelyüksekliği
References
- 1. A. Maestrini, B. Thomas, H. Wang, C. Jung, J. Treuttel, Y.Jin, G. Chattopadhyay, I. Mehdi, G. Beaudin, C. R. Physique 11 (2010) 480–495.
- 2. M.K. Hudait, K.P. Venkateswarlu, S.B. Krupanidhi, Solid State Electron 45 (2001) 133-141.
- 3. M. Soylu, F. Yakuphanoglu, Thin Solid Films 519 (2011) 1950–1954.
- 4. S. Asubay, O. Gullu, A. Turut, Vacuum 83 (2009) 1470–1474.
- 5. E.H. Rhoderick, R.H.Williams, Metal– Semiconductor Contacts, Oxford, Clerendon, 1988.
- 6. W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 1867- 1876.
- 7. S. Chand, S. Bala, Phys B 390 (2007) 179-184.
- 8. C. Nuhoglu, Y. Gulen, Vacuum 84 (2010) 812–816.
- 9. S. Karatas, A. Turut, Physica B 381 (2006) 199–203.
- 10. S. Alt›ndal, I. Yucedag, A. Tataroglu, Vacuum 84 (2010) 363–368.