İlk TiO2 tabanlı memristör, 2008 yılında memristör ve voltaj-akım histerezis eğrisinin öngörülebilir davranışını sunmak için Nano ölçekte HP şirketi tarafından uygulanmıştır. Bu elektronik komponentin birçok yönü henüz bilinmemektedir ve doğru bir model, bu elemanın voltajını ve akımını kontrol etmeye yardımcı olabilir. Bu amaçla, elektronik tabanlı PSPICE veya Workbench gibi programlar yardımcı olabilir. Bu makalede, bu bileşenin dirençli davranışı, voltaj veya akım tarafından kontrol edilecek MATLAB'daki basit kodlarla TiO2'nin doğrusal olmayan iyonik sapması ile modellenmektedir. Bazı simülasyon sonuçları, bu bileşenin özellikleri için model ayarlamaları ile sunulmaktadır.
The first TiO2-based memristor was implemented in 2008 by HP company in Nano-scale to present the predictable behavior of the memristor and voltage-current (V-I) hysteresis curve. Many aspects of this device are unknown yet and having an accurate model can help to control the voltage and current of this device. For this purpose, some of electronic-based soft wares can help like PSPICE or Workbench. This paper is modeling the resistive behavior of this component with non-linear ionic deviance of the TiO2 by simple codes in MATLAB to be controlled by voltage or current. Some of the simulation results are presented with model adjustments for the specifications of this component.
Primary Language | English |
---|---|
Subjects | Engineering |
Journal Section | Articles |
Authors | |
Publication Date | August 31, 2020 |
Published in Issue | Year 2020 Issue: 19 |