Mikroelektronik gaz boşalma hücresinde GaP ın elektriksel ve optiksel karakteristiklerinin incelenmesi

Yıl 2014, Cilt: 30 Sayı: 5, 314 - 317, 01.10.2014

Hilal Yücel Kurt Özlem Fikirli Adem Yurtseven

Öz

Bu çalışmada, GaP yarıiletken katodun, hava ortamında düzlemsel bir gaz boşalma hücresindeki elektriksel ve optiksel karakteristiği mikrolektronik gaz boşalma hücresinde (MGBH) incelenmiştir. Farklı elektrotlar arası mesafeler için (d=45 µm, 90 µm, 143 µm, 240 µm, 323 µm, 445 µm ve 525 µm) kırılma eğrileri elde edilmiştir. p=28 Torr’dan başlayarak atmosferik basınç düzeyine (p = 690 Torr) kadar ölçümler alınmıştır. Böylelikle boşalma akım karakteristiklerine basıncın etkisi incelenmiştir. İlaveten GaP ın Infrared (IR) duyarlılığı ile histerezis grafikleri elde edilmiştir. Bu çalışma, GaP’ın hem direkt band aralıklı hem de indirekt band aralıklı davranış göstermesi sebebiyle önem taşımaktadır.

Anahtar Kelimeler

GaP yarıiletken, mikroelektronik gaz boşalma hücresi, IR aydınlatma

Exploration of electrical and optical characteristics of gap in a microelectronic gas discharge cell

Öz

In this paper, the electrical and optical characteristics of an air-filled planary microelectronic gas discharge cell with a GaP cathode have been explored. The breakdown curves are found for different interelectrode distances (d = 45 µm, 90 µm, 143 µm, 240 µm, 323 µm, 445 µm ve 525 µm). The measurements are taken at different pressure rates from p = 28 Torr to 690 Torr. Thereby, the effect of cell pressure to the discharge current characteristics is investigated. In addition, the IR sensitivity of GaP and the hysteresis graphics are obtained. This work is important in this sense that GaP indicates both the direct band gap and indirect band gap behaviors. Key Words: GaP semiconductor, microelectronic gas discharge cell, IR illuminatio

Anahtar Kelimeler

GaP semiconductor, microelectronic gas discharge cell, IR illumination

Kaynakça

• Fikirli Ö., Atmosferik basınç gaz boşalma plazmaların incelenmesi,Yüksek lisans tezi, Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü,Ankara, Haziran, 2012.
• Sauli, F., GEM: A new concept for electron amplification in gas detectors, Nucl. Instrum. Methods A., 386, 531-534, 1997.
• Becker, K. H., Schoenbach, K. H., Edn,J.Microplasmas and applications, J. Phys. D: Appl. Phys., 39, R55-R70, 2006.
• Klar, H., Morgner, H., Angular distribution of negative ions formed in dissociative attachment, J. Phys. B : Atom. Molec. Phys., 12, 2369-2377, 1979.
• Gericke, K. H., Gelner, C., Scheffler, P.Microstructure electrodes as a means of creating uniform discharges at atmospheric pressure, Vacuum., 65, 291-297, 2002.
• Salamov, B. G., Buyukakkas, S., Ozer, M.,Colakoglu, K., Behavior of current in gas discharge system between parallel-plane electrodes, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2, 275, 279, 1998.
• Salamov, B. G., Colakoglu, K., Altındal, S., Recording the resistance inhomogeneity in high-resistivity semiconductors plates, Infrared Phys. & Technol., 36, 661-668,1995.
• Wang, X. J., Wang, L. L., Huang, W. Q., Tang, L. M., Zou, B. S. ve Chen, K. Q., A surface optical phonon assisted transition in a semi-infinite superlattice with a cap layer, Semicond. Sci. Technol., 21, 751, 2006.
• Zhang, Z. C., Li, J.-L. Dielectric characteristic and local phase transition of gallium phosphide nanosolid, J. Mater. Sci., 46, 5079-5084, 2011.
• Liu, F., Li, Y., Xing, Q., Chai, L., Hu, M., Wang, C., Deng, Y., Sun, Q., Wang, C.,Three-photon absorption and Kerr nonlinearity in undoped bulk GaP excited by a femtosecond laser at 1040 nm, J. Opt., 12, 095201, 2010.
• Strumpel, C., Astrov, Y. A., Purwins, H. G., Nonlinear interaction of homogeneouslyoscillationg domains in a planar gas discharge system, Phys. Rew. E., 62, 4889- 4897, 2000.