Schottky diode with 6H-SiC/MEH-PPV/Al polymer interface was prepared and characterized by using current-voltage data in the temperature range of 80-400K. Important parameters of the produced diode such as ideality factor, barrier height and saturation current were calculated. In addition, the series resistance of the diode was calculated using Cheung and Norde methods. In addition, the calculated diode characteristics were discussed by comparing with each other and with the literature. Strong dependence of the calculated characteristics on temperature has been determined.
6H-SiC/MEH-PPV diode 6H-SiC MEH-PPV Schottky barrier barrier height ideality factor resistance
Bu çalışmada, 6H-SiC/MEH-PPV/Al polimer ara yüzlü Schottky diyotu üretilmiş ve 80-400 K sıcaklık aralığında akım-voltaj verileri kullanılarak karakterize edilmiştir. Üretimi yapılan diyotun İdealite faktörü, engel yüksekliği gibi önemli parametreleri akım-voltaj ölçümlerinden hesaplanmıştır. Doyma akımı ise deneysel sonuçlardan elde edilen grafiklerden belirlenmiştir. Ayrıca diyotun seri direnci Cheung ve Norde yöntemleri kullanılarak hesaplanmıştır. Diğer yandan hesaplanan diyot özellikleri birbirleri ve literatür ile karşılaştırılarak tartışılmıştır. Hesaplanan özelliklerin sıcaklığa güçlü bir şekilde bağlı olduğu belirlenmiştir.
6H-SiC/MEH-PPV diyot 6H-SiC, MEH-PPV MEH-PPV Schottky engeli engel yüksekliği idealite faktörü direnç
Primary Language | English |
---|---|
Subjects | Engineering |
Journal Section | Makaleler |
Authors | |
Publication Date | March 31, 2021 |
Published in Issue | Year 2021 Volume: 14 Issue: 1 |