Research Article
BibTex RIS Cite

Temel pasif devre elemanları üzerine modellerin karşılaştırılması

Year 2024, Volume: 17 Issue: 3, 789 - 796, 31.12.2024
https://doi.org/10.18185/erzifbed.1262229

Abstract

Bu çalışmada, yüksek ve düşük dereceli temel pasif devre elemanları hakkında Chua ve Wang tarafından
oluşturulan modellerden bahsedilerek bunların avantajları ve dezavantajlarından mukayeseli olarak
bahsedilmektedir. Chua modelinde gerilim, akım, akı ve yük temel büyüklük olarak düşünülerek bu devre
elemanları karesel bir metodla yerleştirilmektedir. Buna karşın Wang modelinde ise, gerilim ve akımın temel
büyüklük olmadığı ve bundan dolayı karesel modelin tam manasıyla doğru olmadığı gerekçesiyle yeni bir model
ortaya konulmaktadır. Bu modele göre, sadece akı ve yük temel büyüklük olarak düşünülmekte ve üçgensel bir
model ile devre elemanları konumlandırılmaktadır. Ancak bu iki modelde de elemanların yerleştirilmesinde
bazı eksikler/hatalar bulunduğu için her iki modelin tam olarak doğru olmadığını düşünmekteyiz. Böylece her
iki modelin avantajları ve dezavantajlarının doğru olarak tanımlanmasıyla daha doğru bir modelin
oluşturulmasında önemli bir temel oluşturacağı düşüncesine ulaşmaktayız.

References

  • [1] Chua, L. (1971) Memristor—The missing circuit element, IEEE Transactions on Circuit Theory, CT-18 (5), 507–519.
  • [2] Chua, L. (2003) Nonlinear circuit foundations for nanodevices. Part I: The four-element torus. Proceedings of the IEEE, 91 (11), 1830–1859.
  • [3] Chua, L. and Kang, S. (1976) Memristive devices and systems, Proceedings of the IEEE, 64, 209–223.
  • [4] Wang, Frank Z. (2013) A triangular periodic table of elemantary circuit elements. IEEE Transactions on Circuits and Systems, 60(3), 616-623.
  • [5] Chua, L. (2011) Resistance switching memories are memristors. Applied Physics A: Materials Science & Processing, 102, 765–783.
  • [6] Wang, F. Z., Helian, N., Wu, S., Lim, M., Guo, Y., and Parker, A. (2010) Delayed switching in memristors and memristive systems. IEEE Electron Device Letter, 31 (7), 755–757.
  • [7] Gürsul, S., & Hamamci, S. E. (2019) Comparison of different memristor emulators on low-pass filter circuit. In 2019 3rd International Symposium on Multidisciplinary Studies and Innovative Technologies (ISMSIT) IEEE, 1-4.
  • [8] Barraj, I., Mestiri, H., & Masmoudi, M. (2024) Overview of Memristor-Based Design for Analog Applications. Micromachines, 15(4), 505-508. [9] Wang, F. Z., Helian, N., Guo, Y., Wu, S., Yang, X., Lim, M. and Rashid, M. (2011) Delayed switching applied to memristor neural networks. Journal of Applied Physics, 111 (7), 07E317–07E317-3.

Comparision of models on basic passive circuit components

Year 2024, Volume: 17 Issue: 3, 789 - 796, 31.12.2024
https://doi.org/10.18185/erzifbed.1262229

Abstract

Bu çalışmada, yüksek ve düşük dereceli temel pasif devre elemanları hakkında Chua ve Wang tarafından oluşturulan modellerden bahsedilerek bunların avantajları ve dezavantajlarından mukayeseli olarak bahsedilmiştir. Chua modelinde gerilim, akım, akı ve yük temel büyüklük olarak düşünülerek devre elemanları karesel bir metodla yerleştirilmiştir. Buna karşın Wang modelinde gerilim ve akımın temel büyüklük olmadığı ve bundan dolayı karesel modelin tam manasıyla doğru olmadığı gerekçesiyle yeni bir model ortaya konulmuştur. Bu modelde ise sadece akı ve yük temel büyüklük olarak düşünülmüş ve üçgensel bir model ile devre elemanları konumlandırılmıştır. Ancak bu iki modele de elemanların yerleştirilmesinde bazı eksikler/hatalar bulunduğu için tam olarak doğru denilemez. Bunların avantajları ve dezavantajlarının doğru olarak tanımlanması daha doğru bir modelin oluşturulmasında önemli bir temel oluşturacaktır.

References

  • [1] Chua, L. (1971) Memristor—The missing circuit element, IEEE Transactions on Circuit Theory, CT-18 (5), 507–519.
  • [2] Chua, L. (2003) Nonlinear circuit foundations for nanodevices. Part I: The four-element torus. Proceedings of the IEEE, 91 (11), 1830–1859.
  • [3] Chua, L. and Kang, S. (1976) Memristive devices and systems, Proceedings of the IEEE, 64, 209–223.
  • [4] Wang, Frank Z. (2013) A triangular periodic table of elemantary circuit elements. IEEE Transactions on Circuits and Systems, 60(3), 616-623.
  • [5] Chua, L. (2011) Resistance switching memories are memristors. Applied Physics A: Materials Science & Processing, 102, 765–783.
  • [6] Wang, F. Z., Helian, N., Wu, S., Lim, M., Guo, Y., and Parker, A. (2010) Delayed switching in memristors and memristive systems. IEEE Electron Device Letter, 31 (7), 755–757.
  • [7] Gürsul, S., & Hamamci, S. E. (2019) Comparison of different memristor emulators on low-pass filter circuit. In 2019 3rd International Symposium on Multidisciplinary Studies and Innovative Technologies (ISMSIT) IEEE, 1-4.
  • [8] Barraj, I., Mestiri, H., & Masmoudi, M. (2024) Overview of Memristor-Based Design for Analog Applications. Micromachines, 15(4), 505-508. [9] Wang, F. Z., Helian, N., Guo, Y., Wu, S., Yang, X., Lim, M. and Rashid, M. (2011) Delayed switching applied to memristor neural networks. Journal of Applied Physics, 111 (7), 07E317–07E317-3.
There are 8 citations in total.

Details

Primary Language Turkish
Subjects Engineering
Journal Section Makaleler
Authors

Murat Gülnahar 0000-0003-2801-3690

Müslüm Gür 0000-0002-4842-5345

Yunus Babacan 0000-0002-6745-0626

Early Pub Date December 27, 2024
Publication Date December 31, 2024
Published in Issue Year 2024 Volume: 17 Issue: 3

Cite

APA Gülnahar, M., Gür, M., & Babacan, Y. (2024). Temel pasif devre elemanları üzerine modellerin karşılaştırılması. Erzincan University Journal of Science and Technology, 17(3), 789-796. https://doi.org/10.18185/erzifbed.1262229