The Determination of HEMT's Transfer Function at 300K

Year 2013, Issue: 3, 16 - 24, 01.09.2013

Levent Gökrem

Abstract

In this study, the linear behavior of non-linear transistor HEMT was
obtained by finding the parameters of Y and Z. It was benefited from small-signal
equivalent circuit of HEMT in the determination of its linear behavior. For
this aim, Y-parameter values were determined by means of the small signal
equivalent circuit of HEMT. Y-parameter values were transformed into Z-parameter
values, and its input and output impedance values were determined.
The transfer function of HEMT was determined by using the values of circuit
parameter at 300K temperature

Keywords

HEMT, transfer function, equivalent circuit, Y-parameter, Z-parameter

HEMT'in 300K Sıcaklığındaki Transfer Fonksiyonunun Bulunması

Abstract

Bu çalışmada, doğrusal olmayan bir transistör olan HEMT’in doğrusal davranışı Y ve Z parametreleri çıkarılarak bulunmuştur. Doğrusal davranışının elde edilmesinde HEMT’in küçük sinyal eşdeğer devresinden faydalanılmıştır. HEMT'in küçük sinyal eşdeğer devresine göre Y-parametre değerleri belirlenmiştir. Y-parametre değerleri Z-parametrelerine dönüştürülmüş, giriş ve çıkış empedans değerleri bulunmuştur. HEMT'in 300K sıcaklığındaki devre parametre değerlerine göre transfer fonksiyonu tespit edilmiştir.

Keywords

HEMT, transfer fonksiyonu, eşdeğer devre, Y-parametre, Z-parametre