2p uyarılmış durumunda, hidrostatik basınç ve sıcaklığın GaAs/Ga1-xAlxAs küresel kuantum noktasındaki yabancı atom self- polarizasyonu ve bağlanma enerjisi üzerindeki etkileri, etkin kütle yaklaşımı altında varyasyonel yöntem ile hesaplanmıştır. Bağlanma enerjisi ve yabancı atom self-polarizasyonu, sıcaklık, hidrostatik basınç, yabancı atomun konumu ve nokta yarıçapının bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Sonuçlar, yabancı atom self-polarizasyonunun ve bağlanma enerjisinin hidrostatik basınca ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermektedir. Ayrıca, bağlanma enerjisi hidrostatik basınçla artarken sıcaklık ile azalmakta, yabancı atom self-polarizasyonu ise hidrostatik basınçla azalırken sıcaklık ile artmaktadır. Bununla birlikte, sıcaklık ve hidrostatik basıncın etkisi altında yabancı atom self-polarizasyonunun hesaplanması, yabancı atomun sistemdeki konumu hakkında önemli bilgiler vermektedir.
Hidrostatik basınç Sıcaklık Bağlanma enerjisi Yabancı atom self-polarizasyon Uyarılmış durum
The effects of hydrostatic pressure and temperature on impurity self-polarization and binding energy in GaAs/Ga1-xAlxAs spherical quantum dot in 2p excited state were calculated by variational method under effective mass approach. Binding energy and impurity self-polarization were investigated as a function of temperature, hydrostatic pressure, impurity position and dot radius. The results show that impurity self-polarization and binding energy depend on hydrostatic pressure and temperature. In addition, binding energy increases with hydrostatic pressure and decreases with temperature, while impurity self-polarization decreases with hydrostatic pressure and increases with temperature. However, calculation of impurity self-polarization under the effect of temperature and hydrostatic pressure provides important information about the position of impurity in the system.
| Primary Language | Turkish |
|---|---|
| Subjects | Condensed Matter Physics (Other) |
| Journal Section | Research Article |
| Authors | |
| Early Pub Date | May 24, 2025 |
| Publication Date | June 1, 2025 |
| Submission Date | October 25, 2024 |
| Acceptance Date | November 21, 2024 |
| Published in Issue | Year 2025 Volume: 15 Issue: 2 |