Yarı-Heusler LiScPb yarıiletkeni üzerine bir ilk ilkesel araştırma

Year 2017, , 1278 - 1285, 01.12.2017

Yesim Mogulkoc , Yasemin Ciftci

https://doi.org/10.16984/saufenbilder.287816

Abstract

Bir ilk-ilkesel çalışması olan
yarı-Heusler (HH) LiScPb yarıiletkeninin yapısal, elastik, elektronik,
titreşimsel, termodinamik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine
dayanan düzlem dalga-pseudo potansiyel tekniği kullanılarak rapor edilmiştir.
Elastik özellikler ikinci mertebeden elastik sabitleri kullanılarak sunulmuştur.
Elektronik bant yapısı hesaplamaları kısmi durum yoğunlukları ile elde
edilmiştir. Yarı-Heusler (HH) LiScPb yarıiletkeninin optiksel özellikleri
araştırılmıştır ve bu çalışmada kırılma indisi, sönüm katsayısı, yansıma ve
kayıp fonksiyonu dielektrik fonksiyonları kullanılarak belirlenmiştir.
Yarı-Heusler (HH) LiScPb yarıiletkeninin kararlılığını değerlendirmek için
fonon hesaplamaları dikkate alınmıştır. Ayrıca, sistemin serbest enerjisi,
entropisi ve ısı sıcaklığı artan sıcaklık değerleri altında araştırılmıştır.

Keywords

İlk-ilkesel, yarı-Heusler, elastik özellikler, elektronik özellikler, LiScPb

A first-principles investigation on a Half-Heusler liscpb semiconductor

Abstract

A first-principles study of structural, elastic, electronic,
vibrational, thermodynamic and optical properties of a half-Heusler (HH) LiScPb
semiconductor has been reported using the plane-wave pseudo-potential technique
based on density functional theory (DFT). The elastic properties are
represented using second-order elastic constants. The electronic band structure
calculations are obtained with partial density of states. Optical properties of
HH-LiScPb semiconductor are also investigated and related parameters such as
refraction index, extinction coefficient, reflectivity and loss function are
determined using dielectric functions in this study. Phonon calculations have
been taken into account to evaluate the stability of half-Heusler (HH) LiScPb
semiconductor. Also, the system's free energy, entropy and heat capacity were
investigated under increasing temperature values.

Keywords

elastic properties, electronic properties, First-principles, half-Heusler, LiScPb

References

• [1] F. Casper, T. Graf, S. Chadov, B. Balke and C. Felser. Semicond. Sci. Technol. 27 (2012) 063001.
• [2] N. Shutoh and S. Sakurada. Journal of Alloys and Compounds 389 (2005) 204-208.
• [3] H. Muta, T. Kanemitsu, K. Kurosaki, S. Yamanaka. J. Alloys Compounds 469 (2009) 50-55.
• [4] W. Xie, A. Weidenkaff, X. Tang, Q. Zhang, J. Poon and T.M. Tritt. Nanomaterials 2 (2012) 379-412.
• [5] D. Kieven and R. Klenk. Phys. Rev. B 81 (2010) 075208.
• [6] D. Xiao, Y. Yao, W. Feng, J. Wen, W. Zhu, X-Q. Chen, G.M. Stocks, Z. Zhang. Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 096404.
• [7] T. Gruhn. Phys. Rev. B 82 (2010) 125210.
• [8] H. Mehnane, B. Bekkouche, S. Kacimi, A. Hallouche, M. Djermouni. Superlattices and Microstructures 51 (2012) 772-784.
• [9] S. Kacimi, H. Mehnane, A. Zaoui. Journal of Alloys and Compounds 587 (2014) 451-458.
• [10] C. Kandpal, C. Felser, R. Seshadri. J. Phys. D 39 (2006) 776.