Having a high quality transparent
conductive electrode is one of the critical parameters for high efficient
Si-based photovoltaic device. Indium tin oxide (ITO), used for this purpose,
also behaves as an anti-reflective coating. In this study, it was shown that
the density modulated ITO thin films obtained by the combination of the low
pressure sputter (LPS) and high pressure sputter (HIPS) layers behave
anti-reflective coating as improve the transmission. The density modulated thin
film whose upper layer was grown by HIPS has shown a more porous morphology and
lower transmission for all thickness values. Besides, it was also observed that
the omnidirectional reflection is lower. Additionally, the more homogenous
property of the synthesized silicon nanostructures on HIPS-ITO is another
beneficial finding. Thus, HIPS has claimed that it is a simple yet effective
way of producing more efficient ITO layer
Indium Tin Oxide (ITO) Density Modulated Thin Film Optical Properties High Pressure Sputter (HIPS) Silicon Nanostructure
Verimli
bir Si-tabanlı güneş hücresi için yüksek geçirgenliğe sahip saydam iletken
elektrot kullanmak önemli bir ayrıntıdır. Bu amaçla kullanılan indiyum kalay
oksit (İTO) aynı zamanda yansıma önleyici kaplama görevini
de yerine getirir. Bu çalışmada, alçak basınç püskürtme (ABP) ve yüksek basınç
püskürtme (YBP) yöntemleri ile üretilen farklı malzeme yoğunluklarına sahip iki
katmanın bir araya getirilmesi ile oluşturulan yoğunluk modülasyonlu İTO ince filmlerin yansıma önleyici olarak davrandığı ve geçirgenliği
düşürdüğü gösterilmiştir. YBP ile elde edilen İTO ince filmin üst tabaka olarak kullanıldığı durumda morfolojisinin
daha pürüzlü hale geldiği ve her kalınlık değeri için geçirgenliğin daha yüksek
olduğu gözlemlenmiştir. Buna bağlı olarak, bu numunelerde çok yönlü yansımanın
daha düşük olduğu gösterilmiştir. YBP-İTO katmanın üzerine sentezlenen nanoyapıların oldukça homojen olması
ayrıca bir avantajdır. Sonuç olarak, YBP yöntemi daha kullanışlı bir İTO katmanı üretimi için basit ama etkili bir yöntem olduğunu
ispatlamıştır.
İndiyum Kalay Oksit (İTO) Yoğunluk Modülasyonlu İnce Film Optik Özellik Yüksek Basınç Püskürtme (YBP) Silisyum Nanoyapı
Primary Language | Turkish |
---|---|
Journal Section | Research Articles |
Authors | |
Publication Date | October 30, 2019 |
Submission Date | August 26, 2019 |
Published in Issue | Year 2019 Volume: 45 Issue: 2 |
Journal Owner: On behalf of Selçuk University Faculty of Science, Rector Prof. Dr. Metin AKSOY
Selcuk University Journal of Science Faculty accepts articles in Turkish and English with original results in basic sciences and other applied sciences. The journal may also include compilations containing current innovations.
It was first published in 1981 as "S.Ü. Fen-Edebiyat Fakültesi Dergisi" and was published under this name until 1984 (Number 1-4).
In 1984, its name was changed to "S.Ü. Fen-Edeb. Fak. Fen Dergisi" and it was published under this name as of the 5th issue.
When the Faculty of Letters and Sciences was separated into the Faculty of Science and the Faculty of Letters with the decision of the Council of Ministers numbered 2008/4344 published in the Official Gazette dated 3 December 2008 and numbered 27073, it has been published as "Selcuk University Journal of Science Faculty" since 2009.
It has been scanned in DergiPark since 2016.
Selcuk University Journal of Science Faculty is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0) License.