Bu çalışmada öncelikle modifiye Hummers metodu kullanılarak grafen oksit (GO) üretilmiştir. Üretilen grafen oksit kimyasal yolla indirgenerek, indirgenmiş grafen oksit (RGO) sentezlenmiştir. Sentezlenen RGO ve TiO2 çözeltileri kullanılarak tek adım elektro eğirme yöntemi ile saf TiO2 ve TiO2-RGO tabanlı fotoanaot yüzeylere sahip kuantum nokta duyarlı güneş pilleri üretilmiştir. Üretilen güneş pillerinin kısa devre akım yoğunluğu (Jsc) ve açık devre gerilimi (Voc) ölçümleri yapılmıştır. Saf TiO2 fotoanota sahip güneş pilinin kısa devre akımı yoğunluğu 0,672 mA/cm2, TiO2-RGO kompozit fotoanota sahip güneş pilinin ise 0,770 mA/cm2 olarak ölçülmüştür. Ayrıca güneş pillerinin 10 kHz-1MHz aralığında kapasite-voltaj (C-V), iletkenlik-voltaj (G-V) ve seri direnç-voltaj (Rs-V) ölçümleri yapılarak ayrıntılı bir şekilde karakterizasyonu yapılmıştır.
Elektro eğirme yöntemi Kuantum nokta duyarlı güneş pili TiO2 Grafen
yok
yok
yok
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Proje Numarası | yok |
Yayımlanma Tarihi | 26 Eylül 2020 |
Gönderilme Tarihi | 24 Haziran 2020 |
Kabul Tarihi | 13 Temmuz 2020 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2020 Cilt: 9 Sayı: 3 |