BibTex RIS Kaynak Göster

-

Yıl 2015, Cilt: 8 Sayı: 1, 33 - 49, 07.04.2015

Osman Ceylan , Osman Ceylan , Hasan Yağcı Hasan Bülent Yağcı Selçuk Paker

https://doi.org/10.20854/befmbd.31566

Öz

In this study a GaN HEMT X Band Class F Power Amplifier is presented. Center frequency of the amplifier is 8.2GHz and amplifier has 62% peak efficiency with 9.3dB power gain. Modelithics advanced GaN HEMT nonlinear transistor model is used at design process. Radial stubs are preferred to increase bandwidth. Amplifier has 170MHz bandwidth above 60% efficiency. Therefore, proposed amplifier is suitable for high data rate communication systems

Anahtar Kelimeler

-

Kaynakça

  • Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
  • Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
  • Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
  • Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
  • Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.

GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI

Yıl 2015, Cilt: 8 Sayı: 1, 33 - 49, 07.04.2015

Osman Ceylan , Osman Ceylan , Hasan Yağcı Hasan Bülent Yağcı Selçuk Paker

https://doi.org/10.20854/befmbd.31566

Öz

Bu çalışmada X bandında çalışan, yüksek verimli F sınıfı güç kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yüksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanılarak tasarlanmıştır. Bu tasarımda kullanılan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru için Modelithics geliştirdiği doğrusal olmayan tranzistor modeli kullanılmıştır. Tasarlanan devrenin daha geniş frekans bandından çalışmasını sağlamak için kapasitif elemanlar radyal yapılı mikroşerit hatlar ile gerçeklenmiştir. Tasarım sonucunda 8.2 GHz merkez frekansında elde edilen en yüksek verim %62, güç kazancı ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre geniş bantlı iletişim sistemlerinde (170MHz) kullanılmaya uygun olarak bant içerisindeki verimi %60’ın üzerindedir. Çalışma sonunda GaN HEMT kullanarak yüksek çıkış gücüne sahip yüksek verimli kuvvetlendirici elde edilmiştir.

Anahtar Kelimeler

GaN X Band Güç Kuvvetlendiricisi F Sınıfı Dairesel Yapılı Hat

Kaynakça

  • Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
  • Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
  • Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
  • Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
  • Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.
Toplam 5 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Birincil Dil Türkçe
Bölüm Makaleler
Yazarlar

Osman Ceylan

Osman Ceylan

Hasan Yağcı Bu kişi benim

Hasan Bülent Yağcı Bu kişi benim

Selçuk Paker

Yayımlanma Tarihi 7 Nisan 2015
Yayımlandığı Sayı Yıl 2015 Cilt: 8 Sayı: 1

Kaynak Göster

APA Ceylan, O., Ceylan, O., Yağcı, H., Yağcı, H. B., vd. (2015). GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, 8(1), 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566
AMA Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. Haziran 2015;8(1):33-49. doi:10.20854/befmbd.31566
Chicago Ceylan, Osman, Osman Ceylan, Hasan Yağcı, Hasan Bülent Yağcı, ve Selçuk Paker. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8, sy. 1 (Haziran 2015): 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
EndNote Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S (01 Haziran 2015) GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8 1 33–49.
IEEE O. Ceylan, O. Ceylan, H. Yağcı, H. B. Yağcı, ve S. Paker, “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”, BUJSE, c. 8, sy. 1, ss. 33–49, 2015, doi: 10.20854/befmbd.31566.
ISNAD Ceylan, Osman vd. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8/1 (Haziran 2015), 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
JAMA Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8:33–49.
MLA Ceylan, Osman vd. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, c. 8, sy. 1, 2015, ss. 33-49, doi:10.20854/befmbd.31566.
Vancouver Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8(1):33-49.
 Kapak Resmi İndir

Creative Commons Lisansı
Bu eser Creative Commons Atıf 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.