In this study, a 5W class AB RF power amplifier at 2.4 GHz is presented. Sumitomo Electric’s SGNE010MK transistor was preferred for the design. Nonlinear GaN HEMT model for EDA tools was used at the design procedure which is provided by Sumitomo Electric. Taconic TSM-DS3 with 0.76mm thickness and 3DK was used as substrate. Circuit board was prepared by milling
technique. Peak efficiency of the designed amplifier is 44% at 5W under continuous wave (CW). Designed amplifier has more than %40 PAE in 50MHz bandwidth. According to results, designed amplifier has the highest efficiency and highest frequency in reported other Class AB amplifiers.
Bu çalışmada 2.4 GHz frekansında 5W çıkış gücüne sahip AB sınıfı bir güç kuvvetlendiricisi tasarlanmış ve gerçeklenmiştir. Tasarımda Sumitomo Electric firmasının SGNE010MK GaN HEMT’i kullanılmıştır. Firma tarafından sağlanan doğrusal olmayan model ile bilgisayar destekli analiz ve tasarım yapılmıştır. Taban olarak Taconic firmasının 0.76mm kalınlığında, dielektrik katsayısı 3 olan TSM-DS3 tabanı kullanılmıştır. Tasarlanan kuvvetlendiricinin, sürekli dalga işaret ile 5W çıkış gücünde en yüksek eklenmiş verimi % 44 olarak ölçülmüştür ve 50 MHz bant genişliğinde %40 üzerinde verime sahiptir. Elde edilen sonuçlara göre, tasarlanan kuvvetlendirici aynı tranzistör ile tasarlanmış olan raporlanmış AB sınıfı güç kuvvetlendiricilerine göre daha yüksek frekansta daha yüksek verime sahiptir.
GaN HEMT RF Güç Kuvvetlendiricisi; AB Sınıfı Kuvvetlendirici AB Sınıfı Kuvvetlendirici
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Makaleler |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 29 Aralık 2015 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2015 Cilt: 8 Sayı: 2 |
Bu eser Creative Commons Atıf 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.