SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı
Öz
Bu makalede Sic ve GaN tabanlı IGBT modülleri için ACPL-352J-500E IGBT sürücü entegresi kullanılarak optik olarak izole edilmiş IGBT kapı sürücü tasarımı anlatılacaktır. Bu makalenin temel amacı, çok düşük gürültü ve kararlı performansa sahip yeni bir tip izole quasi rezonanslı DC-DC dönüştürücü devresi içeren yüksek kaliteli IGBT kapı sürücü devresi tasarlamaktır. Dört kanallı izole sürücü çıkışı sayesinde her bir anahtarlama elamanı birbirinden izole olarak beslenmektedir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- 1B. Sun, Z. Zhang and M. A. E. Andersen, "A Comparison Review of the Resonant Gate Driver in the Silicon MOSFET and the GaN Transistor Application," in IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 55, no. 6, pp. 7776-7786, Nov.-Dec. 2019, doi: 10.1109/TIA.2019.2914193.
- Muhammad H. Rashid, “Power Electronics Handbook”, 2001
- E.A.M. Klumperink, S. L. J. Gierkink, A. P. van der Wel and B. Nauta, "Reducing MOSFET 1/f noise and power consumption by switched biasing," in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 35, no. 7, pp. 994-1001, July 2000, doi: 10.1109/4.848208.
- G. Boselli, G. Trucco and V. Liberali, "Effects of digital switching noise on analog circuits performance," 2007 18th European Conference on Circuit Theory and Design, 2007, pp. 160-163, doi: 10.1109/ECCTD.2007.4529561. [ M. Antonov and I. Krysan, "An Electronic Key with Galvanic Isolation for Monitoring the State of Elements in Energy Converters," 2020 IEEE Problems of Automated Electrodrive. Theory and Practice (PAEP), 2020, pp. 1-4, doi: 10.1109/PAEP49887.2020.9240828.
- H. Hussin, A. Saparon, M. Muhamad and M. D. Risin, "Sinusoidal Pulse Width Modulation (SPWM) Design and Implementation by Focusing on Reducing Harmonic Content," 2010 Fourth Asia International Conference on Mathematical/Analytical Modelling and Computer Simulation, 2010, pp. 620-623, doi: 10.1109/AMS.2010.125.
- M. S. N. Romli, Z. Idris, A. Saparon and M. K. Hamzah, "An area-efficient Sinusoidal Pulse Width Modulation (SPWM) technique for Single Phase Matrix Converter (SPMC)," 2008 3rd IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications, 2008, pp. 1163-1168, doi: 10.1109/ICIEA.2008.4582701.
- A. Bahrami and M. Narimani, "A Sinusoidal Pulsewidth Modulation (SPWM) Technique for Capacitor Voltage Balancing of a Nested T-Type Four-Level Inverter," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 34, no. 2, pp. 1008-1012, Feb. 2019, doi: 10.1109/TPEL.2018.2846618.
- S. Hong, H. -J. Kim, K. -Y. Lee, J. Cheon and D. -H. Han, "A novel dead-time generation method of clock generator for resonant power transfer system," 2010 International SoC Design Conference, 2010, pp. 51-54, doi: 10.1109/SOCDC.2010.5682976.
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
Mühendislik
Bölüm
Araştırma Makalesi
Yayımlanma Tarihi
11 Aralık 2022
Gönderilme Tarihi
3 Ekim 2022
Kabul Tarihi
12 Kasım 2022
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2022 Cilt: 12 Sayı: 2
APA
Yalçın, F., & Köse, H. (2022). SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı. EMO Bilimsel Dergi, 12(2), 41-48. https://izlik.org/JA92TE69MY
AMA
1.Yalçın F, Köse H. SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı. EMO Bilimsel Dergi. 2022;12(2):41-48. https://izlik.org/JA92TE69MY
Chicago
Yalçın, Fatih, ve Hüseyin Köse. 2022. “SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı”. EMO Bilimsel Dergi 12 (2): 41-48. https://izlik.org/JA92TE69MY.
EndNote
Yalçın F, Köse H (01 Aralık 2022) SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı. EMO Bilimsel Dergi 12 2 41–48.
IEEE
[1]F. Yalçın ve H. Köse, “SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı”, EMO Bilimsel Dergi, c. 12, sy 2, ss. 41–48, Ara. 2022, [çevrimiçi]. Erişim adresi: https://izlik.org/JA92TE69MY
ISNAD
Yalçın, Fatih - Köse, Hüseyin. “SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı”. EMO Bilimsel Dergi 12/2 (01 Aralık 2022): 41-48. https://izlik.org/JA92TE69MY.
JAMA
1.Yalçın F, Köse H. SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı. EMO Bilimsel Dergi. 2022;12:41–48.
MLA
Yalçın, Fatih, ve Hüseyin Köse. “SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı”. EMO Bilimsel Dergi, c. 12, sy 2, Aralık 2022, ss. 41-48, https://izlik.org/JA92TE69MY.
Vancouver
1.Fatih Yalçın, Hüseyin Köse. SiC ve GaN Tabanlı IGBT Modülleri İçin Quasi Rezonant IGBT Kapı Sürücü Tasarımı. EMO Bilimsel Dergi [Internet]. 01 Aralık 2022;12(2):41-8. Erişim adresi: https://izlik.org/JA92TE69MY