Sol-jel
Spin-Coating tekniği ile hazırlanan nano yapılı yarı iletken ZnO ince filmlerin
optik sabitleri ve dispersiyon enerji parametreleri optik karakterizasyon
yöntemi kullanılarak belirlendi. ZnO ince filmlerinin yasak enerji aralığı 3,08-3,25
eV arasında bulunmuştur. ZnO ince filmlerinin kırılma indisi dağılımı, tek salınım
modeline uymaktadır. ZnO ince filmlerin dispersiyon enerjisi ve osilatör enerji
değerleri sırasıyla 6,46-9,85 eV ve 4,82-5,54 eV aralığında bulundu. ZnO ince
filmlerinin dielektrik sabitinin reel ve sanal kısımları belirlendi. ZnO ince
filmler için e2 eğrileri bir pik
vermektedir ve bu pik, elektronların valans bandından iletim bandına foto
uyarılmasından kaynaklanmaktadır.
ZnO İnce Filmler Yarıiletken Optik Sabitler Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM)
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Bölüm | MBD |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 1 Mart 2018 |
Gönderilme Tarihi | 25 Kasım 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2018 Cilt: 30 Sayı: 1 |