TEK VE ÇİFT KARE KUYU TELLERİNDE ELEKTRİK ALAN VE MANYETİK ALAN’IN ELEKTRONİK ÖZELLİKLERE ETKİSİ

Yıl 2022, , 58 - 68, 30.06.2022

Mustafa Ulaş , Abbas Gümüş

https://doi.org/10.34186/klujes.1072134

Öz

Tek ve çift kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alan etkisi altında elektronun bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, tel sayısına ve dışarıdan uygulanan alan etkilerine bağlılığı gösterildi. Kare kuyu tel yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Tel yapıya elektrik alan artı x doğrultusunda ve manyetik alan ise eksi z doğrultusunda olacak şekilde seçildi. Hesaplamada sonlu farklar yöntemi kullanıldı. Bağlanma enerjisinin farklı alanlar altında tel sayısına bağlılığı gösterildi. Ayrıca dışarıdan uygulanan alanların, elektronun gördüğü potansiyele ve elektronun bulunma olasılığına etkisi gösterilmiştir. Bu tür yapıların detaylı incelenmesi, hem yapının elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılmasını sağlayacak, hem de teknolojik cihaz üretiminde daha ekonomik bir yol gösterecektir.

Anahtar Kelimeler

bağlanma enerjisi, elektrik alan, manyetik alan, kare kuantum kuyu teli

Kaynakça

• [1] CHUU, D.S., HSIAO,C.M., MEI, W.N., Hydrogenic impurity states inquantum dots andquanyum wires.Physical Review B, 46, 3898-3905, 1992.
• [2] BOUHASSOUNE, M., CHARROUR, R., FLİYOU, M., BRİA, D., NOUGAOUİ, A., Binding energy of shallow impurities in polar quanyum well wire. Physica B, 304, 389-397, 2001.
• [3] M. ULAŞ (a), H. AKBAŞ (a), and M.TOMAK (b) ‘‘ShallowDonors in a QuantumWellWire: ElectricFieldandGeometricalEffects’’,Tr. J. of Physics 22, 369 (1998).
• [4] CHAO, H.T., TRANTHOAI, D.B., Effect of the electric field on a hydrogenic impurity in a quantum wires. Physica B, 205, 273-278, 1995.
• [5] ULAS, M., AKBAS, H., TOMAK, M.,Shallow donors in a quantum well wire: Electric field and geometrical affects. Phys. Stat. Sol., 200, 67-73, 1997.
• [6] MONTES, A., DUQUE, C. A, PORRAS-MONTENEGRO, N. Densityof shallow donor impurity states in rectangular cross section GaAs quantum well wires under applied electric field. J. Physc. Condens. Matter, 11, 5351-5358, 1998.
• [7] OKAN, S. E., AKBAS, H., TOMAK, M., Binding energies of helium-like impurities in parabolik quantum wells under an applied electric field. Superlattice and Microstructures, 28, 171-176,2000.
• [8] AKTAS, S., OKAN, S. E., AKBAS, H., Electric field effect on the binding energy of a hidrogenic impurity in a coaxial GaAs/AlxGa1-x As quantum well wires. Superlattice and Microstructures, 30, 129-134, 2001.
• [9] AKTAS, S., Boz, F., The binding energy of a hidrogenic impurity in triple GaAl/AlxGa1-xquantum well wires under applied electric field. Trakya Univ. J.Sci., 5(2), 159-165, 2004.
• [10] ULAŞ, M., ERDOĞAN, I., ÇİÇEK, E., SENTURK DALGIC, S. Self polarization in GaAs-(Ga, Al)As quantum well wires: electric field and geometrical effects. Physica E, 25, 515-520, 2005
• [11] ULAŞ, M. ve UYAR, H. Üçlü Kuantum Telinde Elektrik Alan Ve Lazer Alan’nın Elektronik Özelliklere Etkisi, Kırklareli Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 6 (1), 2020
• [12]ULAŞ, M. ve DÖNMEZER, I. Üçlü Kuantum Telinde Manyetik Alan Ve Lazer Alan’nın Elektronik Özelliklere Etkisi, Kırklareli Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 6 (1), 2020
• [13] AKTAS, S., BİLEKKAYA, A.,, BOZ, F. K. OKAN, S. E., Electron transmission in symmetric and asymmetric double-barrier structure controlled by laser field. Superlattices and Microstructures, 85, 266-273, 2015.
• [14] AKTAS, S.,KES, H.,BOZ, F.K., OKAN, S. E., Control of a resonant tunneling structure by intense laser field. Superlattices and Microstructures, 98, 220-227, 2016.