Bu çalışmada sıcaklık ve hidrostatik basınç etkisi
altında simetrik AlxGa1-xAs/GaAs/ AlxGa1-xAs
ve antisimetrik AlxLGa1-xLAs/GaAs/ AlxRGa1-xRAs
kuantum kuyularında engel yükseklik oranlarının etkileri, etkin kütle
yaklaşımında varyasyonel yöntem kullanılarak çalışıldı. Taban durum yabancı
atom enerjileri, yabancı atom enerjisisnin dönüm noktaları ve taban durum normalize edilmiş bağlanma
enerjileri hesaplandı. Sıcaklık, hidrostatik basınç, farklı engel yükseklikleri
ve yabancı atom konumunun, taban durum yabancı atom enerjisini ve yabancı atom
enerjisinin dönüm noktalarını önemli ölçüde değiştirdiği gösterildi.
In this work, we studied the effects of barrier height ratio VL/VR on symmetric AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs
and asymmetric AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs quantum wells under the presence of hydrostatic pressure and
temperature by using variational method with in the effective mass approximation. We calculated ground state impurity
energies, impurity energy turning points and ground state normalized binding energies as functions of the impurity position.
We observed that the ground state impurity energies and impurity energy turning points depends strongly on hydrostatic
pressure, temperature, different barrier heights and impurity positions.
Turning point Temperature hydrostatic pressure Binding energies Normalized binding energies
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Araştırma Makaleleri |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 15 Aralık 2017 |
Kabul Tarihi | 9 Kasım 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2017 Cilt: 18 Sayı: 2 |