EN
TR
GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI
Abstract
Bu çalışmada X bandında çalışan, yüksek verimli F sınıfı güç kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yüksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanılarak tasarlanmıştır. Bu tasarımda kullanılan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru için Modelithics geliştirdiği doğrusal olmayan tranzistor modeli kullanılmıştır. Tasarlanan devrenin daha geniş frekans bandından çalışmasını sağlamak için kapasitif elemanlar radyal yapılı mikroşerit hatlar ile gerçeklenmiştir. Tasarım sonucunda 8.2 GHz merkez frekansında elde edilen en yüksek verim %62, güç kazancı ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre geniş bantlı iletişim sistemlerinde (170MHz) kullanılmaya uygun olarak bant içerisindeki verimi %60’ın üzerindedir. Çalışma sonunda GaN HEMT kullanarak yüksek çıkış gücüne sahip yüksek verimli kuvvetlendirici elde edilmiştir.
Keywords
References
- Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
- Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
- Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
- Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
- Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.
Details
Primary Language
Turkish
Subjects
-
Journal Section
-
Publication Date
April 7, 2015
Submission Date
April 7, 2015
Acceptance Date
-
Published in Issue
Year 2015 Volume: 8 Number: 1
APA
Ceylan, O., Ceylan, O., Yağcı, H., Yağcı, H. B., & Paker, S. (2015). GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, 8(1), 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566
AMA
1.Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8(1):33-49. doi:10.20854/befmbd.31566
Chicago
Ceylan, Osman, Osman Ceylan, Hasan Yağcı, Hasan Bülent Yağcı, and Selçuk Paker. 2015. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8 (1): 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
EndNote
Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S (June 1, 2015) GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8 1 33–49.
IEEE
[1]O. Ceylan, O. Ceylan, H. Yağcı, H. B. Yağcı, and S. Paker, “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”, BUJSE, vol. 8, no. 1, pp. 33–49, June 2015, doi: 10.20854/befmbd.31566.
ISNAD
Ceylan, Osman - Ceylan, Osman - Yağcı, Hasan - Yağcı, Hasan Bülent - Paker, Selçuk. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8/1 (June 1, 2015): 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
JAMA
1.Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8:33–49.
MLA
Ceylan, Osman, et al. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, vol. 8, no. 1, June 2015, pp. 33-49, doi:10.20854/befmbd.31566.
Vancouver
1.Osman Ceylan, Osman Ceylan, Hasan Yağcı, Hasan Bülent Yağcı, Selçuk Paker. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015 Jun. 1;8(1):33-49. doi:10.20854/befmbd.31566